欧美成人免费电影,国产欧美一区二区三区精品酒店,精品国产a毛片,色网在线免费观看

<fieldset id="gag2a"><menu id="gag2a"></menu></fieldset><ul id="gag2a"></ul>

<fieldset id="gag2a"></fieldset>

參數資料

相關代理商/技術參數	參數描述
ECH8301-TL-E	制造商:SANYO Semiconductor Co Ltd 功能描述:MOSFET P CH 20V 8A ECH8
ECH8302	制造商:SANYO 制造商全稱:Sanyo Semicon Device 功能描述:P-Channel Silicon MOSFET General-Purpose Switching Device
ECH8302-TL-E	功能描述:MOSFET P-CH 30V 7A ECH8 RoHS:是類別:分離式半導體產品 >> FET - 單系列:- 標準包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續漏極(Id) @ 25° C:18A 開態Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-220-3 整包供應商設備封裝:TO-220FP 包裝:管件
ECH8304	制造商:SANYO 制造商全稱:Sanyo Semicon Device 功能描述:ECH8304
ECH8304-TL-E	功能描述:MOSFET P-CH 12V 9.5A ECH8 RoHS:是類別:分離式半導體產品 >> FET - 單系列:- 標準包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續漏極(Id) @ 25° C:18A 開態Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-220-3 整包供應商設備封裝:TO-220FP 包裝:管件

發布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復。

(若只采購一條型號，填寫一行即可)

*型號	*數量	廠商	批號	封裝

添加更多采購

<fieldset id="aeeyc"></fieldset>