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參數資料
型號: ECH8419-TL-H
廠商: ON Semiconductor
文件頁數: 7/7頁
文件大小: 0K
描述: MOSFET N-CH 35V 9A ECH8
標準包裝: 3,000
FET 型: MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET 特點: 邏輯電平門
漏極至源極電壓(Vdss): 35V
電流 - 連續漏極(Id) @ 25° C: 9A
開態Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 17 毫歐 @ 5A,10V
Id 時的 Vgs(th)(最大): 2.6V @ 1mA
閘電荷(Qg) @ Vgs: 19nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds: 960pF @ 20V
功率 - 最大: 1.5W
安裝類型: 表面貼裝
封裝/外殼: 8-SMD,扁平引線
供應商設備封裝: 8-ECH
包裝: 帶卷 (TR)
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