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參數(shù)資料
型號: ECH8602M-TL-H
廠商: ON Semiconductor
文件頁數(shù): 7/7頁
文件大小: 0K
描述: MOSFET N-CH 30V 6A ECH8
標(biāo)準(zhǔn)包裝: 3,000
FET 型: 2 個(gè) N 溝道(雙)
FET 特點(diǎn): 邏輯電平門
漏極至源極電壓(Vdss): 30V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C: 6A
開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 30 毫歐 @ 3A,4.5V
閘電荷(Qg) @ Vgs: 7.5nC @ 4.5V
功率 - 最大: 1.5W
安裝類型: 表面貼裝
封裝/外殼: 8-SMD,扁平引線
供應(yīng)商設(shè)備封裝: 8-ECH
包裝: 帶卷 (TR)
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