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參數資料
| 型號： | EDI4F3632F6M |
| 英文描述： | Quad 2-Input NAND Gate with Open Drain; Temperature Range: -55°C to 125°C; Package: Die (Military Visual) |
| 中文描述： | x36 EDO公司頁面模式內存模塊 |
| 文件頁數： | 1/12頁 |
| 文件大小： | 614K |
| 代理商： | EDI4F3632F6M |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| EDI4F3632F7M | x36 EDO Page Mode DRAM Module |
| EDI4F3632G6M | x36 EDO Page Mode DRAM Module |
| EDI4F3632G7M | x36 EDO Page Mode DRAM Module |
| EDI784MSV50SI | Dual High Frequency Differential Amplifier For Low Power Applications Up to 500MHz; Temperature Range: -55°C to 125°C; Package: 14-PDIP |
| EDI784MSV50SM | Dual High Frequency Differential Amplifier For Low Power Applications Up to 500MHz; Temperature Range: -55°C to 125°C; Package: 14-SOIC |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| EDI4F3632F7M | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x36 EDO Page Mode DRAM Module |
| EDI4F3632G6M | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x36 EDO Page Mode DRAM Module |
| EDI4F3632G7M | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x36 EDO Page Mode DRAM Module |
| EDI74341MV-BNC | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:Intel/Sharp Flash Modules |
| EDI784MSV50SI | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:NAND Flash EEPROM |
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