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參數(shù)資料
型號(hào): EM6M1T2R
廠商: Rohm Semiconductor
文件頁(yè)數(shù): 5/7頁(yè)
文件大小: 0K
描述: MOSFET N/P-CH 30V .1A EMT6
產(chǎn)品培訓(xùn)模塊: MOSFETs
產(chǎn)品目錄繪圖: EM6 Series EMT-6
特色產(chǎn)品: ECOMOS? Series MOSFETs
標(biāo)準(zhǔn)包裝: 1
FET 型: N 和 P 溝道
FET 特點(diǎn): 邏輯電平門(mén)
漏極至源極電壓(Vdss): 30V,20V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C: 100mA,200mA
開(kāi)態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 8 歐姆 @ 10mA,4V
閘電荷(Qg) @ Vgs: 0.9nC @ 4.5V
輸入電容 (Ciss) @ Vds: 13pF @ 5V
功率 - 最大: 150mW
安裝類型: 表面貼裝
封裝/外殼: SOT-563,SOT-666
供應(yīng)商設(shè)備封裝: EMT6
包裝: 標(biāo)準(zhǔn)包裝
產(chǎn)品目錄頁(yè)面: 1639 (CN2011-ZH PDF)
其它名稱: EM6M1T2RDKR
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