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參數(shù)資料
型號(hào): EM6M2T2R
廠商: Rohm Semiconductor
文件頁(yè)數(shù): 8/8頁(yè)
文件大小: 0K
描述: MOSFET N/P-CH 20V 200MA EMT6
標(biāo)準(zhǔn)包裝: 8,000
FET 型: N 和 P 溝道
FET 特點(diǎn): 邏輯電平門
漏極至源極電壓(Vdss): 20V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C: 200mA
開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 1 歐姆 @ 200mA,4V
Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大): 1V @ 1mA
輸入電容 (Ciss) @ Vds: 25pF @ 10V
功率 - 最大: 150mW
安裝類型: 表面貼裝
封裝/外殼: SOT-563,SOT-666
供應(yīng)商設(shè)備封裝: EMT6
包裝: 帶卷 (TR)
其它名稱: EM6M2T2R-ND
EM6M2T2RTR
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