- 您現在的位置：買賣IC網 > PDF目錄353094 > EPC1010D1 Analog IC PDF資料下載
參數資料
| 型號： | EPC1010D1 |
| 英文描述： | Analog IC |
| 中文描述： | 模擬IC |
| 文件頁數： | 1/1頁 |
| 文件大?。?/td> | 82K |
| 代理商： | EPC1010D1 |
Powered by ICminer.com Electronic-Library Service CopyRight 2003
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| EPC1011D1 | Analog IC |
| EPC1012HE6 | Analog IC |
| EPC1012PE6 | Analog IC |
| EPC1013HE1 | Analog IC |
| EPC1013PE | Analog IC |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| EPC1011 | 功能描述:TRANS GAN 150V 12A BUMPED DIE RoHS:否 類別:分離式半導體產品 >> FET - 單 系列:eGaN® 標準包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續漏極(Id) @ 25° C:18A 開態Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應商設備封裝:TO-220FP 包裝:管件 |
| EPC1011D1 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:Analog IC |
| EPC1012 | 功能描述:TRANS GAN 200V 3A BUMPED DIE RoHS:否 類別:分離式半導體產品 >> FET - 單 系列:eGaN® 標準包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續漏極(Id) @ 25° C:18A 開態Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應商設備封裝:TO-220FP 包裝:管件 |
| EPC1012H | 制造商:PCA 制造商全稱:PCA ELECTRONICS INC. 功能描述:Ethernet DC/DC Converter |
| EPC1012HE6 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:Analog IC |
發布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復。