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FF200R06YE3ENG

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  • 功能描述
  • IGBT 模塊
  • RoHS
  • 否
  • 制造商
  • Infineon Technologies
  • 產品
  • IGBT Silicon Modules
  • 配置
  • Dual
  • 集電極—發射極最大電壓 VCEO
  • 600 V
  • 集電極—射極飽和電壓
  • 1.95 V
  • 在25 C的連續集電極電流
  • 230 A
  • 柵極—射極漏泄電流
  • 400 nA
  • 功率耗散
  • 445 W
  • 最大工作溫度
  • + 125 C
  • 封裝 / 箱體
  • 34MM
  • 封裝
FF200R06YE3ENG 技術參數
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