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FSSA151005RNN00S

配單專家企業(yè)名單

型號
供應商
數(shù)量
廠商
封裝
批號
價格
說明
操作

FSSA151005RNN00S
深圳市芯脈實業(yè)有限公司
深圳市芯脈實業(yè)有限公司
聯(lián)系人：曹先生/高先生/周小姐
電話：134878658521852080514813760272017
地址：深圳市龍崗區(qū)坂田街道南坑社區(qū)雅寶路1號星河WORLDA2203A室
96307
Murata Electronics
25+
-
全球渠道、原廠正品、信譽保障、閃電發(fā)貨

FSSA151005RNN00S
北京首天偉業(yè)科技有限公司
北京首天偉業(yè)科技有限公司
聯(lián)系人：劉先生
電話：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址： 廣東省深圳市福田區(qū)華強北街道電子科技大廈C座23E
資質：營業(yè)執(zhí)照
5000
Murata Electronics North
標準封裝
16+
-
假一罰十，原裝正品

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1

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功能描述
EMI/RFI 抑制器及鐵氧體 28ohm @100MHz Plate Core
RoHS
否
制造商
Fair-Rite
產品
Ferrite Cores
阻抗
365 Ohms
容差
最大直流電流
最大直流電阻
工作溫度范圍
- 55 C to + 125 C
封裝 / 箱體
端接類型
SMD/SMT

FSSA151005RNN00S 技術參數(shù)

FSS804-TL-E 功能描述:MOSFET N-CH 30V 14A 8-SOP 制造商:sanyo semiconductor (u.s.a) corporation 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平柵極，4V 驅動漏源極電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:14A（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:10 毫歐 @ 14A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:50nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:3000pF @ 10V 功率 - 最大值:3.3W 工作溫度:150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:8-SOIC（0.173"，4.40mm 寬）供應商器件封裝:8-SOP 標準包裝:1 FSS275-TL-E 功能描述:MOSFET N-CH 60V 6A 8-SOP 制造商:sanyo semiconductor (u.s.a) corporation 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平柵極，4V 驅動漏源極電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:6A（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:43 毫歐 @ 3A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:21nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:1100pF @ 20V 功率 - 最大值:1.9W 工作溫度:150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:8-SOIC（0.173"，4.40mm 寬）供應商器件封裝:8-SOP 標準包裝:1 FSS273-TL-E 功能描述:MOSFET N-CH 45V 8A 8-SOP 制造商:sanyo semiconductor (u.s.a) corporation 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平柵極，4V 驅動漏源極電壓（Vdss）:45V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:8A（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:22 毫歐 @ 8A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:40nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:2225pF @ 20V 功率 - 最大值:2.4W 工作溫度:150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:8-SOIC（0.173"，4.40mm 寬）供應商器件封裝:8-SOP 標準包裝:1 FSS264-TL-E 功能描述:MOSFET N-CH 100V 4A 8-SOP 制造商:sanyo semiconductor (u.s.a) corporation 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平柵極，4V 驅動漏源極電壓（Vdss）:100V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:4A（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:85 毫歐 @ 2A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:34nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:1560pF @ 20V 功率 - 最大值:2.4W 工作溫度:150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:8-SOIC（0.173"，4.40mm 寬）供應商器件封裝:8-SOP 標準包裝:1 FSS1500NST 功能描述:Surface Mount Force Sensor 1.5kgf (3.3lbs) 制造商:honeywell sensing and productivity solutions 系列:FSS 零件狀態(tài):有效作用力:1.5kgf（3.3磅）輸出:180mV 傳感器類型:表面貼裝電壓 - 電源:3 V ~ 6 V 致動器類型:滾珠致動器樣式/尺寸:圓形，1.98mm 工作溫度:-40°C ~ 85°C 標準包裝:100 FST10020 FST100200 FST10030 FST10035 FST10040 FST10045 FST10060 FST10080 FST10-140-BKTS FST-11.8D-14 FST-11A-10 FST-11A-11 FST-11A-20 FST-11A-5 FST-11A-7 FST-11A-8 FST120100 FST120150