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FW356-TL-E

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  • FW356-TL-E
    FW356-TL-E

    FW356-TL-E

  • 深圳市芯脈實業有限公司
    深圳市芯脈實業有限公司

    聯系人：馬先生

    電話：19166264056

    地址：深圳市龍崗區坂田街道南坑社區雅寶路1號星河WORLDA2203A室

  • 24680

  • 07+

  • 463

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  • -

  • 原裝現貨價格當天確認

  • FW356-TL-E
    FW356-TL-E

    FW356-TL-E

  • 北京首天偉業科技有限公司
    北京首天偉業科技有限公司

    聯系人：劉先生

    電話：010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址： 廣東省深圳市福田區華強北街道電子科技大廈C座23E

    資質：營業執照

  • 10000

  • SANYO

  • SOP8

  • 15+

  • -

  • FW356-TL-E
    FW356-TL-E

    FW356-TL-E

  • 北京元坤偉業科技有限公司
    北京元坤偉業科技有限公司

    聯系人：劉先生

    電話：010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址：北京市海淀區中關村大街32號和盛嘉業大廈10層1008室

    資質：營業執照

  • 5000

  • SANYO

  • LS現貨

  • -

  • 假一罰十，百分百原裝正品

  • 1/1頁 40條/頁 共15條 
  • 1
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  • 制造商
  • SANYO Semiconductor Co Ltd
  • 功能描述
  • MOSFET NP CH SOT96
FW356-TL-E 技術參數
  • FW349-TL-E 功能描述:MOSFET N/P-CH 45V 5A/4.5A 8-SOP 制造商:sanyo semiconductor (u.s.a) corporation 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態:過期 FET 類型:N 和 P 溝道 FET 功能:邏輯電平門 漏源極電壓（Vdss）:45V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:5A，4.5A 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:37 毫歐 @ 5A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:18.1nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:860pF @ 20V 功率 - 最大值:1.8W 工作溫度:150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-SOIC（0.173"，4.40mm 寬） 供應商器件封裝:8-SOP 標準包裝:1 FW342-TL-E 功能描述:MOSFET N/P-CH 30V 6A/5A 8-SOP 制造商:sanyo semiconductor (u.s.a) corporation 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態:過期 FET 類型:N 和 P 溝道 FET 功能:邏輯電平門 漏源極電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:6A，5A 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:33 毫歐 @ 6A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:16nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:850pF @ 10V 功率 - 最大值:1.8W 工作溫度:150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-SOIC（0.173"，4.40mm 寬） 供應商器件封裝:8-SOP 標準包裝:1 FW248-TL-E 功能描述:MOSFET 2N-CH 45V 6A 8-SOP 制造商:sanyo semiconductor (u.s.a) corporation 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態:過期 FET 類型:2 個 N 溝道（雙） FET 功能:邏輯電平門 漏源極電壓（Vdss）:45V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:6A 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:34 毫歐 @ 6A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:23nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:1040pF @ 20V 功率 - 最大值:1.8W 工作溫度:150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-SOIC（0.173"，4.40mm 寬） 供應商器件封裝:8-SOP 標準包裝:1 FW231A-TL-E 功能描述:MOSFET 2N-CH 20V 8A 8-SOP 制造商:sanyo semiconductor (u.s.a) corporation 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態:過期 FET 類型:2 個 N 溝道（雙） FET 功能:邏輯電平門 漏源極電壓（Vdss）:20V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:8A 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:23 毫歐 @ 8A，4.5V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:21nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:1530pF @ 10V 功率 - 最大值:2.3W 工作溫度:150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-SOIC（0.173"，4.40mm 寬） 供應商器件封裝:8-SOP 標準包裝:1 FW1120G01 功能描述:General Purpose Relay DPDT (2 Form C) Chassis Mount 制造商:te connectivity aerospace, defense and marine 系列:軍用，MIL-R-5757/10，FW，CII 包裝:散裝 零件狀態:在售 繼電器類型:通用 線圈類型:無鎖存 線圈電流:- 線圈電壓:26.5VDC 觸頭外形:DPDT（2 C 型） 額定接觸（電流）:2A 開關電壓:28VDC - 標稱 導通電壓（最大值）:13 VDC 關閉電壓（最小值）:2.3 VDC 工作時間:6ms 釋放時間:6ms 特性:- 安裝類型:底座安裝 端子類型:焊接鉤 觸頭材料:- 線圈功率:- 線圈電阻:- 工作溫度:-65°C ~ 125°C 標準包裝:1 FW-36-01-F-D-425-065 FW-36-01-F-D-425-075 FW-36-01-F-D-425-100 FW-36-01-F-D-509-143 FW-36-01-G-D-200-065 FW-36-01-G-D-200-075 FW-36-01-G-D-200-100 FW-36-01-G-D-250-065 FW-36-01-G-D-250-075 FW-36-01-G-D-250-100 FW-36-01-G-D-350-065 FW-36-01-G-D-350-075 FW-36-01-G-D-350-100 FW-36-01-G-D-425-065 FW-36-01-G-D-425-075 FW-36-01-G-D-425-100 FW-36-01-L-D-200-065 FW-36-01-L-D-200-075
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