型號: | F5001 |
廠商: | Polyfet RF Devices |
英文描述: | PATENTED GOLD METALIZED SILICON GATE ENHANCEMENT MODE RF POWER VDMOS TRANSISTOR |
中文描述: | 專利金金屬化硅柵增強型射頻功率VDMOS晶體管 |
文件頁數: | 2/2頁 |
文件大小: | 37K |
代理商: | F5001 |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
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F5033 | 30V N-Channel PowerTrench MOSFET |
F50N06LE | 50A, 60V, 0.022 Ohm, Logic Level N-Channel Power MOSFETs |
F5CP | 2.5 x 2.0mm package F5CP / F6CP Dimensions & Pin Configuration |
F5D1 | AlGaAs INFRARED EMITTING DIODE |
F5D2 | AlGaAs INFRARED EMITTING DIODE |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
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F50010 NA113 | 制造商:Alpha Wire Company 功能描述:HEAT SHRINK TUBE 10 NAT 25X2' |
F5001-08 | 制造商:KAYNAR (ALCOA) 功能描述: |
F50010-NA113 | 制造商:Alpha Wire 功能描述: |
F500-12 | 制造商:Cosel Usa Inc 功能描述:Optional Accessories, OP Series |
F50012 NA113 | 制造商:Alpha Wire Company 功能描述:SLEEVE, HEATSHRINK 260 DEG 3.8 I/D 25X2FT 制造商:Alpha Wire Company 功能描述:HEAT SHRINK TUBE 12 NAT 25X2' |