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參數(shù)資料
型號: FCB20N60FTM
廠商: Fairchild Semiconductor
文件頁數(shù): 6/8頁
文件大?。?/td> 0K
描述: MOSFET N-CH 600V 20A D2PAK
標(biāo)準(zhǔn)包裝: 1
系列: SuperFET™
FET 型: MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET 特點(diǎn): 標(biāo)準(zhǔn)
漏極至源極電壓(Vdss): 600V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C: 20A
開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 190 毫歐 @ 10A,10V
Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大): 5V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs: 98nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds: 3080pF @ 25V
功率 - 最大: 208W
安裝類型: 表面貼裝
封裝/外殼: TO-263-3,D²Pak(2 引線+接片),TO-263AB
供應(yīng)商設(shè)備封裝: D²PAK
包裝: 標(biāo)準(zhǔn)包裝
產(chǎn)品目錄頁面: 1607 (CN2011-ZH PDF)
其它名稱: FCB20N60FTMDKR
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