| 型號： | FCD4N60TM_WS |
| 廠商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件頁數(shù)： | 5/8頁 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 600V 3.9A DPAK |
| 產(chǎn)品目錄繪圖： | DPAK, TO-252(AA) |
| 標(biāo)準(zhǔn)包裝： | 1 |
| 系列： | SuperFET™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金屬氧化物 |
| FET 特點(diǎn)： | 標(biāo)準(zhǔn) |
| 漏極至源極電壓(Vdss)： | 600V |
| 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C： | 3.9A |
| 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 1.2 歐姆 @ 2A，10V |
| Id 時的 Vgs(th)（最大）： | 5V @ 250µA |
| 閘電荷(Qg) @ Vgs： | 16.6nC @ 10V |
| 輸入電容 (Ciss) @ Vds： | 540pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 50W |
| 安裝類型： | 表面貼裝 |
| 封裝/外殼： | TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63 |
| 供應(yīng)商設(shè)備封裝： | D-Pak |
| 包裝： | 標(biāo)準(zhǔn)包裝 |
| 其它名稱： | FCD4N60TM_WSDKR |