| 型號： |
FCD5N60TM |
| 廠商： |
Fairchild Semiconductor |
| 文件頁數： |
1/8頁 |
| 文件大小： |
0K |
| 描述： |
MOSFET N-CH 600V 4.6A DPAK |
| 產品培訓模塊： |
High Voltage Switches for Power Processing
|
| 產品目錄繪圖： |
DPAK, TO-252(AA)
|
| 標準包裝： |
1 |
| 系列： |
SuperFET™ |
| FET 型： |
MOSFET N 通道，金屬氧化物
|
| FET 特點： |
標準
|
| 漏極至源極電壓(Vdss)： |
600V
|
| 電流 - 連續漏極(Id) @ 25° C： |
4.6A
|
| 開態Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： |
950 毫歐 @ 2.3A，10V
|
| Id 時的 Vgs(th)（最大）： |
5V @ 250µA
|
| 閘電荷(Qg) @ Vgs： |
16nC @ 10V
|
| 輸入電容 (Ciss) @ Vds： |
600pF @ 25V
|
| 功率 - 最大： |
54W
|
| 安裝類型： |
表面貼裝
|
| 封裝/外殼： |
TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63
|
| 供應商設備封裝： |
D-Pak
|
| 包裝： |
標準包裝 |
| 產品目錄頁面： |
1606 (CN2011-ZH PDF)
|
| 其它名稱： |
FCD5N60TMDKR
|