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參數(shù)資料
型號: FCD9N60NTM
廠商: Fairchild Semiconductor
文件頁數(shù): 5/8頁
文件大小: 0K
描述: MOSFET N-CH 600V 9A DPAK
產(chǎn)品目錄繪圖: DPAK, TO-252(AA)
標(biāo)準(zhǔn)包裝: 1
系列: SupreMOS™
FET 型: MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET 特點: 標(biāo)準(zhǔn)
漏極至源極電壓(Vdss): 600V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C: 9A
開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 385 毫歐 @ 4.5A,10V
Id 時的 Vgs(th)(最大): 5V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs: 17.8nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds: 1000pF @ 100V
功率 - 最大: 92.6W
安裝類型: 表面貼裝
封裝/外殼: TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63
供應(yīng)商設(shè)備封裝: D-Pak
包裝: 標(biāo)準(zhǔn)包裝
產(chǎn)品目錄頁面: 1606 (CN2011-ZH PDF)
其它名稱: FCD9N60NTMDKR
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