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參數(shù)資料
型號(hào): FCI25N60N_F102
廠商: Fairchild Semiconductor
文件頁數(shù): 1/8頁
文件大小: 0K
描述: MOSFET N-CH 600V 25A I2PAK
標(biāo)準(zhǔn)包裝: 50
系列: SupreMOS™
FET 型: MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET 特點(diǎn): 標(biāo)準(zhǔn)
漏極至源極電壓(Vdss): 600V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C: 25A
開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 125 毫歐 @ 12.5A,10V
Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大): 4V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs: 74nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds: 3352pF @ 100V
功率 - 最大: 216W
安裝類型: 通孔
封裝/外殼: TO-262-3,長(zhǎng)引線,I²Pak,TO-262AA
供應(yīng)商設(shè)備封裝: I2PAK
包裝: 管件
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