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參數資料
| 型號： | FCP11N60 |
| 廠商： | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分類： | JFETs |
| 英文描述： | SuperFET |
| 中文描述： | 11 A, 600 V, 0.38 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB |
| 封裝： | ROHS COMPLIANT PACKAGE-3 |
| 文件頁數： | 7/10頁 |
| 文件大小： | 810K |
| 代理商： | FCP11N60 |
2004 Fairchild Semiconductor Corporation
Rev. B, March 2004
F
Peak Diode Recovery dv/dt Test Circuit & Waveforms
DUT
V
DS
+
_
Driver
R
G
as DUT
V
GS
I
SD
controlled by pulse period
V
DD
L
I
SD
10V
V
GS
( Driver )
I
SD
( DUT )
V
DS
( DUT )
V
DD
Forward Voltage Drop
V
SD
I
FM
, Body Diode Forward Current
Body Diode Reverse Current
I
RM
Body Diode Recovery dv/dt
di/dt
D =
Gate Pulse Period
-Gate Pulse Width
-Gate Pulse Width
Same Type
dv/dt controlled by R
G
Body Diode
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FCPF16N60 | 600V N-Channel MOSFET |
| FCPF20N60 | 600V N-Channel MOSFET |
| FCP20N60 | 600V N-Channel MOSFET |
| FCR | Fusing Surface Mounted Resistors |
| FCX1047A | NPN SILICON POWER (SWITCHING) TRANSISTOR |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| FCP11N60_Q | 功能描述:MOSFET 600V 11A N-CH RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| FCP11N60F | 功能描述:MOSFET 600V NCH MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| FCP11N60N | 功能描述:MOSFET SupreMOS 11A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| FCP11N60N_F102 | 制造商:Fairchild 功能描述:600V N-Channel MOSFET SupreMOS |
| FCP11N65 | 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述: 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述: |
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