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參數資料
| 型號： | FCP11N60F |
| 廠商： | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分類： | JFETs |
| 英文描述： | 600V N-Channel MOSFET |
| 中文描述： | 11 A, 600 V, 0.38 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB |
| 封裝： | TO-220, 3 PIN |
| 文件頁數： | 8/10頁 |
| 文件大小： | 836K |
| 代理商： | FCP11N60F |
8
www.fairchildsemi.com
FCP11N60F/FCPF11N60F Rev. A
F
Mechanical Dimensions
4.50
±
0.20
9.90
±
0.20
1.52
±
0.10
0.80
±
0.10
2.40
±
0.20
10.00
±
0.20
1.27
±
0.10
3.60
±
0.10
(8.70)
2
±
0
1
±
0
1
±
0
1
(
(
(
(
(
(
°
)
9
±
0
1
±
0
1
±
0
1.30
+0.10
–0.05
0.50
+0.10
–0.05
2.54TYP
[2.54
±
0.20
]
2.54TYP
[2.54
±
0.20
]
TO-220
Dimensions in Millimeters
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FCPF11N60F | 600V N-Channel MOSFET |
| FCP4N60 | 600V N-Channel MOSFET |
| FCP7N60 | 600V N-Channel MOSFET |
| FCPF7N60 | 600V N-Channel MOSFET |
| FCPF11N60 | SuperFET |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| FCP11N60N | 功能描述:MOSFET SupreMOS 11A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| FCP11N60N_F102 | 制造商:Fairchild 功能描述:600V N-Channel MOSFET SupreMOS |
| FCP11N65 | 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述: 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述: |
| FCP1206C123G | 功能描述:薄膜電容器 .012uF 50V 2% RoHS:否 制造商:Cornell Dubilier 產品類型: 電介質:Polyester 電容:0.047 uF 容差:10 % 電壓額定值:100 V 系列:225P 工作溫度范圍:- 55 C to + 85 C 端接類型:Radial 引線間隔:9.5 mm |
| FCP1206C123G-H1 | 功能描述:薄膜電容器 .012uF 50V 2% RoHS:否 制造商:Cornell Dubilier 產品類型: 電介質:Polyester 電容:0.047 uF 容差:10 % 電壓額定值:100 V 系列:225P 工作溫度范圍:- 55 C to + 85 C 端接類型:Radial 引線間隔:9.5 mm |
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