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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | FCX5550 |
| 英文描述： | TRANSISTOR | BJT | NPN | 140V V(BR)CEO | 600MA I(C) | SOT-89 |
| 中文描述： | 晶體管|晶體管| npn型| 140伏特五（巴西）總裁| 600毫安一（c）|采用SOT - 89 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 1/1頁(yè) |
| 文件大小： | 56K |
| 代理商： | FCX5550 |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FCX604 | TRANSISTOR | BJT | DARLINGTON | NPN | 100V V(BR)CEO | 1.5A I(C) | SOT-89 |
| FD0230YR | DIACs |
| FDAD-15SF | RIBBON-CABLE LOW-PROFILE FD CONNECTORS |
| FDAD-25PF | RIBBON-CABLE LOW-PROFILE FD CONNECTORS |
| FDED-25PF | RIBBON-CABLE LOW-PROFILE FD CONNECTORS |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| FCX555TA | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 180V H-Voltage PNP Switching Transistor RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| FCX558 | 制造商:DIODES 制造商全稱:Diodes Incorporated 功能描述:SOT89 PNP SILICON PLANAR HIGH VOLTAGE TRANSISTOR |
| FCX558TA | 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP Medium Power RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| FCX589 | 制造商:ZETEX 制造商全稱:ZETEX 功能描述:PNP SILICON PLANAR MEDIUM POWER HIGH PERFORMANCE TRANSISTOR |
| FCX589TA | 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP Medium Power RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
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