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參數資料
型號: FD1000FX-90
廠商: Mitsubishi Electric Corporation
英文描述: HIGH POWER, HIGH FREQUENCY, PRESS PACK TYPE
中文描述: 高功率,高頻率,按包裝類型
文件頁數: 2/3頁
文件大小: 41K
代理商: FD1000FX-90
Aug.1998
MITSUBISHI HIGH-FREQUENCY RECTIFIER DIODES
FD1000FH-56
HIGH POWER, HIGH FREQUENCY,
PRESS PACK TYPE
PERFORMANCE CURVES
3.2
0
0.8
1.6
2.4 2.8
0.4
1.2
2.0
10
4
7
5
3
2
10
3
7
5
3
2
10
2
7
5
3
2
10
1
T
j
= 125°C
T
j
= 25°C
1
2 3
5 7 10
10
5
20 30
5070100
15
20
25
0
0.032
0
10
–3
2 3
5 710
–2
2 3
10
0
5 710
1
2 3 5 710
–1
2 3 5 710
0
0.016
0.012
0.008
0.004
0.020
0.024
0.028
3200
2400
2000
1200
400
0
1600
0
800
1600
2800
400
800
1200
DC CIRCUIT
RESISTIVE, INDUCTIVE LOAD
SINGLE-PHASE
HALF WAVE, FULL WAVE
RECTIFICATION CIRCUIT
THREE-PHASE
HALF WAVE,
FULL WAVE
RECTIFICATION
CIRCUIT
130
110
100
80
60
50
1600
0
70
90
120
400
800
1200
DC CIRCUIT
RESISTIVE, INDUCTIVE LOAD
SINGLE-PHASE
HALF WAVE, FULL WAVE
RECTIFICATION CIRCUIT
THREE-PHASE
HALF WAVE,
FULL WAVE
RECTIFICATION
CIRCUIT
0
20
40
60
80 100 120 140 160
10
3
7
5
3
2
10
2
7
5
3
2
10
1
7
5
3
2
10
0
Q
RR
trr
t
trr
trr
Irm
2
Q
RR
=
Irm
I
FM
V
A
i
A
V
RM
d
iF
/d
t
0
+
I
FM
= 1000A
d
iF
/d
t
= –30A/
μ
s
V
RM
= 150V
MAX.
AV.
MAX.
AV.
F
FORWARD VOLTAGE (V)
MAXIMUM FORWARD CHARACTERISTICS
P
AVERAGE FORWARD CURRENT (A)
MAXIMUM POWER DISSIPATION
CHARACTERISTICS
F
AVERAGE FORWARD CURRENT (A)
ALLOWABLE FIN TEMPERATURE
VS. AVERAGE FORWARD CURRENT
T
TIME (S)
MAXIMUM THERMAL IMPEDANCE
CHARACTERISTIC
(JUNCTION TO FIN)
R
μ
C
R
μ
S
JUNCTION TEMPERATURE (°C)
REVERSE RECOVERY CHARGE,
REVERSE RECOVERY TIME VS.
JUNCTION TEMPERATURE
S
CONDUCTION TIME
(CYCLES AT 60Hz)
RATED SURGE FORWARD CURRENT
相關PDF資料
PDF描述
FD1500AU-120DA HIGH POWER, HIGH FREQUENCY PRESS PACK TYPE
FD1500AV-90 600 A AC/DC CLAMP-ON DMM,TRMS RoHS Compliant: NA
FD1500BV-90DA HIGH POWER, HIGH FREQUENCY, PRESS PACK TYPE
FD1500CV-90DA HIGH POWER, HIGH FREQUENCY PRESS PACK TYPE
FD2000DU-120 HIGH POWER, HIGH FREQUENCY, PRESS PACK TYPE
相關代理商/技術參數
參數描述
FD1000R17IE4 功能描述:IGBT 模塊 IGBT 1700V 1000A RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝:
FD1000R17IE4D_B2 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:PrimePACK3 module and NTC
FD1000R17IE4DB2BOSA1 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:
FD1000R33HE3-K 功能描述:IGBT 模塊 IGBT 3300V 1000A RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝:
FD1000W 制造商:FERMIONICS 功能描述:
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