| 型號： | FDA18N50 |
| 廠商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件頁數： | 5/8頁 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 500V 19A TO-3P |
| 產品目錄繪圖： | MOSFET TO-3P(N) |
| 標準包裝： | 30 |
| 系列： | UniFET™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金屬氧化物 |
| FET 特點： | 標準 |
| 漏極至源極電壓(Vdss)： | 500V |
| 電流 - 連續漏極(Id) @ 25° C： | 19A |
| 開態Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 265 毫歐 @ 9.5A，10V |
| Id 時的 Vgs(th)（最大）： | 5V @ 250µA |
| 閘電荷(Qg) @ Vgs： | 60nC @ 10V |
| 輸入電容 (Ciss) @ Vds： | 2860pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 239W |
| 安裝類型： | 通孔 |
| 封裝/外殼： | TO-3P-3，SC-65-3 |
| 供應商設備封裝： | TO-3P |
| 包裝： | 管件 |
| 產品目錄頁面： | 1607 (CN2011-ZH PDF) |