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參數資料
| 型號： | FDA59N30 |
| 廠商： | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分類： | JFETs |
| 英文描述： | 300V N-Channel MOSFET |
| 中文描述： | 59 A, 300 V, 0.056 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| 封裝： | TO-3PN, 3 PIN |
| 文件頁數： | 1/8頁 |
| 文件大小： | 697K |
| 代理商： | FDA59N30 |
2005 Fairchild Semiconductor Corporation
FDA59N30 Rev. A
1
www.fairchildsemi.com
F
UniFET
TM
FDA59N30
300V N-Channel MOSFET
Features
59A, 300V, R
DS(on)
= 0.056
@V
GS
= 10 V
Low gate charge ( typical 77 nC)
Low C
rss
( typical 80 pF)
Fast switching
100% avalanche tested
Improved dv/dt capability
Description
These N-Channel enhancement mode power field effect transis-
tors are produced using Fairchild’s proprietary, planar stripe,
DMOS technology.
This advanced technology has been especially tailored to mini-
mize on-state resistance, provide superior switching perfor-
mance, and withstand high energy pulse in the avalanche and
commutation mode. These devices are well suited for high effi-
cient switched mode power supplies and active power factor
correction.
Absolute Maximum Ratings
Thermal Characteristics
! "
!
!
S
!
"
"
D
G
G
S
D
TO-3P
FDA Series
Symbol
Parameter
FDA59N30
Unit
V
DSS
I
D
Drain-Source Voltage
300
V
Drain Current
- Continuous (T
C
= 25
°
C)
- Continuous (T
C
= 100
°
C)
- Pulsed
59
35
A
A
I
DM
V
GSS
E
AS
I
AR
E
AR
dv/dt
Drain Current
(Note 1)
236
A
Gate-Source voltage
±
30
V
Single Pulsed Avalanche Energy
(Note 2)
1734
mJ
Avalanche Current
(Note 1)
59
A
Repetitive Avalanche Energy
(Note 1)
50
mJ
Peak Diode Recovery dv/dt
(Note 3)
4.5
V/ns
P
D
Power Dissipation
(T
C
= 25
°
C)
- Derate above 25
°
C
500
4
W
W/
°
C
°
C
T
J,
T
STG
T
L
Operating and Storage Temperature Range
-55 to +150
Maximum Lead Temperature for Soldering Purpose,
1/8” from Case for 5 Seconds
300
°
C
Symbol
Parameter
Min.
Max.
Unit
R
θ
JC
R
θ
CS
R
θ
JA
Thermal Resistance, Junction-to-Case
--
0.25
°
C/W
°
C/W
°
C/W
Thermal Resistance, Case-to-Sink
0.24
--
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient
--
40
相關PDF資料 |
PDF描述 |
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相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
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