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參數資料
| 型號： | FDA62N28 |
| 廠商： | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分類： | JFETs |
| 英文描述： | 280V N-Channel MOSFET |
| 中文描述： | 62 A, 280 V, 0.051 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| 封裝： | TO-3PN, 3 PIN |
| 文件頁數： | 2/8頁 |
| 文件大小： | 704K |
| 代理商： | FDA62N28 |
2
www.fairchildsemi.com
FDA62N28 Rev. A
F
Package Marking and Ordering Information
Electrical Characteristics
T
C
= 25°C unless otherwise noted
NOTES:
1. Repetitive Rating: Pulse width limited by maximum junction temperature
2. L = 0.82mH, I
AS
= 62A, V
DD
= 50V, R
G
= 25
, Starting T
J
= 25
°
C
3. I
SD
≤
62A, di/dt
≤
200A/
μ
s, V
DD
≤
BV
DSS
, Starting T
J
= 25
°
C
4. Pulse Test: Pulse width
≤
300
μ
s, Duty Cycle
≤
2%
5. Essentially Independent of Operating Temperature Typical Characteristics
Device Marking
Device
Package
Reel Size
Tape Width
Quantity
FDA62N28
FDA62N28
TO-3P
-
-
30
Symbol
Parameter
Conditions
Min.
Typ.
Max
Units
Off Characteristics
BV
DSS
BV
DSS
/
T
J
I
DSS
Drain-Source Breakdown Voltage
V
GS
= 0V, I
D
= 250
μ
A
280
--
--
V
Breakdown Voltage Temperature
Coefficient
I
D
= 250
μ
A, Referenced to 25
°
C
--
0.28
--
V/
°
C
Zero Gate Voltage Drain Current
V
DS
= 280V, V
GS
= 0V
V
DS
= 224V, T
C
= 125
°
C
V
GS
= 30V, V
DS
= 0V
V
GS
= -30V, V
DS
= 0V
--
--
--
--
1
10
μ
A
μ
A
I
GSSF
I
GSSR
On Characteristics
Gate-Body Leakage Current, Forward
--
--
100
nA
Gate-Body Leakage Current, Reverse
--
--
-100
nA
V
GS(th)
R
DS(on)
Gate Threshold Voltage
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250
μ
A
3.0
--
5.0
V
Static Drain-Source
On-Resistance
V
GS
= 10V, I
D
= 31A
--
0.043
0.051
g
FS
Dynamic Characteristics
Forward Transconductance
V
DS
= 40V, I
D
= 31A
(Note 4)
--
51
--
S
C
iss
C
oss
C
rss
Switching Characteristics
Input Capacitance
V
DS
= 25V, V
GS
= 0V,
f = 1.0MHz
--
3560
4630
pF
Output Capacitance
--
730
950
pF
Reverse Transfer Capacitance
--
83
120
pF
t
d(on)
t
r
t
d(off)
t
f
Q
g
Q
gs
Q
gd
Turn-On Delay Time
V
DD
= 140V, I
D
= 62A
R
G
= 25
(Note 4, 5)
--
90
190
ns
Turn-On Rise Time
--
560
1130
ns
Turn-Off Delay Time
--
110
230
ns
Turn-Off Fall Time
--
220
450
ns
Total Gate Charge
V
DS
= 224V, I
D
= 62A
V
GS
= 10V
(Note 4, 5)
--
77
100
nC
Gate-Source Charge
--
25
--
nC
Gate-Drain Charge
--
41
--
nC
Drain-Source Diode Characteristics and Maximum Ratings
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
Q
rr
Maximum Continuous Drain-Source Diode Forward Current
--
--
62
A
Maximum Pulsed Drain-Source Diode Forward Current
--
--
248
A
Drain-Source Diode Forward Voltage
V
GS
= 0V, I
S
= 62A
V
GS
= 0V, I
S
= 62A
dI
F
/dt =100A/
μ
s
(Note 4)
--
--
1.4
V
Reverse Recovery Time
--
236
--
ns
Reverse Recovery Charge
--
6.1
--
μ
C
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FDA69N25 | 250V N-Channel MOSFET |
| FDA70N20 | 200V N-Channel MOSFET |
| FDA75N28 | 280V N-Channel MOSFET |
| FDA79N15 | 150V N-Channel MOSFET |
| FDA8440 | N-Channel PowerTrench㈢ MOSFET |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| FDA69N25 | 功能描述:MOSFET 250V N-Channel MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| FDA70N20 | 功能描述:MOSFET 200V N-CH U NIFET MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| FDA75N28 | 功能描述:MOSFET 280V 75A NCH MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| FDA79N15 | 功能描述:MOSFET 200V N-CH U NIFET MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| FDA800001 | 功能描述:OSC 108MHZ 3.3V SMD RoHS:是 類別:晶體和振蕩器 >> 振蕩器 系列:SaRonix-eCera™ FD 標準包裝:1 系列:VG-4512CA 類型:VCXO 頻率:153.6MHz 功能:三態（輸出啟用） 輸出:LVPECL 電源電壓:3.3V 頻率穩定性:- 工作溫度:-40°C ~ 85°C 電流 - 電源（最大）:60mA 額定值:- 安裝類型:表面貼裝 尺寸/尺寸:0.276" L x 0.197" W（7.00mm x 5.00mm） 高度:0.071"（1.80mm） 封裝/外殼:6-SMD，無引線（DFN，LCC） 包裝:Digi-Reel® 電流 - 電源（禁用）（最大）:- 其它名稱:SER3790DKR |
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