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參數資料
| 型號： | FDA69N25 |
| 廠商： | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分類： | JFETs |
| 英文描述： | 250V N-Channel MOSFET |
| 中文描述： | 69 A, 250 V, 0.041 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| 封裝： | TO-3P, 3 PIN |
| 文件頁數： | 1/8頁 |
| 文件大小： | 674K |
| 代理商： | FDA69N25 |
2006 Fairchild Semiconductor Corporation
FDA69N25 Rev. A
1
www.fairchildsemi.com
F
May 2006
UniFET
TM
FDA69N25
250V N-Channel MOSFET
Features
69A, 250V, R
DS(on)
= 0.041
@V
GS
= 10 V
Low gate charge ( typical 77 nC)
Low Crss ( typical 84pF)
Fast switching
Improved dv/dt capability
Description
These N-Channel enhancement mode power field effect
transistors are produced using Fairchild’s proprietary, planar
stripe, DMOS technology.
This advanced technology has been especially tailored to
minimize on-state resistance, provide superior switching
performance, and withstand high energy pulse in the avalanche
and commutation mode. These devices are well suited for high
efficient switched mode power supplies, active power factor
correction, electronic lamp ballast based on half bridge
topology.
Absolute Maximum Ratings
Thermal Characteristics
D
G
S
G
S
D
TO-3P
FDA Series
Symbol
Parameter
FDA69N25
Units
V
DSS
V
DS(Avalanche)
Drain-Source Voltage
250
V
Repetitive Avalanche Voltage
(Note 1)
(Note 2)
300
V
I
D
Drain Current
- Continuous (T
C
= 25°C)
- Continuous (T
C
= 100°C)
- Pulsed
69
A
44.2
A
I
DM
V
GSS
E
AS
I
AR
E
AR
dv/dt
Drain Current
(Note 1)
276
A
Gate-Source Voltage
±
30
V
Single Pulsed Avalanche Energy
(Note 2)
1894
mJ
Avalanche Current
(Note 1)
69
A
Repetitive Avalanche Energy
(Note 1)
48
mJ
Peak Diode Recovery dv/dt
(Note 3)
4.5
V/ns
P
D
Power Dissipation (T
C
= 25°C)
480
W
- Derate above 25°C
3.84
W/°C
T
J
, T
STG
Operating and Storage Temperature Range
-55 to +150
°C
T
L
Maximum lead temperature for soldering purposes,
1/8 from case for 5 seconds
300
°C
Symbol
Parameter
FDA69N25
Units
R
θ
JC
R
θ
JA
Thermal Resistance, Junction-to-Case
0.26
°C
/
W
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient
40
°C
/
W
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FDA70N20 | 200V N-Channel MOSFET |
| FDA75N28 | 280V N-Channel MOSFET |
| FDA79N15 | 150V N-Channel MOSFET |
| FDA8440 | N-Channel PowerTrench㈢ MOSFET |
| FDAF59N30 | 300V N-Channel MOSFET |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| FDA70N20 | 功能描述:MOSFET 200V N-CH U NIFET MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| FDA75N28 | 功能描述:MOSFET 280V 75A NCH MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| FDA79N15 | 功能描述:MOSFET 200V N-CH U NIFET MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| FDA800001 | 功能描述:OSC 108MHZ 3.3V SMD RoHS:是 類別:晶體和振蕩器 >> 振蕩器 系列:SaRonix-eCera™ FD 標準包裝:1 系列:VG-4512CA 類型:VCXO 頻率:153.6MHz 功能:三態（輸出啟用） 輸出:LVPECL 電源電壓:3.3V 頻率穩定性:- 工作溫度:-40°C ~ 85°C 電流 - 電源（最大）:60mA 額定值:- 安裝類型:表面貼裝 尺寸/尺寸:0.276" L x 0.197" W（7.00mm x 5.00mm） 高度:0.071"（1.80mm） 封裝/外殼:6-SMD，無引線（DFN，LCC） 包裝:Digi-Reel® 電流 - 電源（禁用）（最大）:- 其它名稱:SER3790DKR |
| FDA800002 | 功能描述:OSC 108MHZ 1.8V SMD RoHS:是 類別:晶體和振蕩器 >> 振蕩器 系列:SaRonix-eCera™ FD 標準包裝:1 系列:VG-4512CA 類型:VCXO 頻率:153.6MHz 功能:三態（輸出啟用） 輸出:LVPECL 電源電壓:3.3V 頻率穩定性:- 工作溫度:-40°C ~ 85°C 電流 - 電源（最大）:60mA 額定值:- 安裝類型:表面貼裝 尺寸/尺寸:0.276" L x 0.197" W（7.00mm x 5.00mm） 高度:0.071"（1.80mm） 封裝/外殼:6-SMD，無引線（DFN，LCC） 包裝:Digi-Reel® 電流 - 電源（禁用）（最大）:- 其它名稱:SER3790DKR |
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