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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | FDA75N28 |
| 廠(chǎng)商： | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分類(lèi)： | JFETs |
| 英文描述： | 280V N-Channel MOSFET |
| 中文描述： | 75 A, 280 V, 0.041 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| 封裝： | TO-3P, 3 PIN |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 1/8頁(yè) |
| 文件大小： | 740K |
| 代理商： | FDA75N28 |
2006 Fairchild Semiconductor Corporation
FDA75N28 Rev. A
1
www.fairchildsemi.com
F
October 2006
UniFET
TM
FDA75N28
280V N-Channel MOSFET
Features
75A, 280V, R
DS(on)
= 0.041
@V
GS
= 10 V
Low gate charge ( typical 111 nC)
Low C
rss
( typical 90 pF)
Fast switching
100% avalanche tested
Improved dv/dt capability
Description
These N-Channel enhancement mode power field effect
transistors are produced using Fairchild’s proprietary, planar
stripe, DMOS technology.
This advanced technology has been especially tailored to
minimize on-state resistance, provide superior switching
performance, and withstand high energy pulse in the avalanche
and commutation mode. These devices are well suited for high
efficient switched mode power supplies and active power factor
correction.
Absolute Maximum Ratings
Thermal Characteristics
D
G
S
G
S
D
TO-3P
FDA Series
Symbol
Parameter
FDA75N28
Unit
V
DSS
I
D
Drain-Source Voltage
280
V
Drain Current
- Continuous (T
C
= 25
°
C)
- Continuous (T
C
= 100
°
C)
- Pulsed
75
45
A
A
I
DM
Drain Current
(Note 1)
300
A
V
GSS
E
AS
I
AR
E
AR
dv/dt
Gate-Source voltage
±
30
V
Single Pulsed Avalanche Energy
(Note 2)
3080
mJ
Avalanche Current
(Note 1)
75
A
Repetitive Avalanche Energy
(Note 1)
52
mJ
Peak Diode Recovery dv/dt
(Note 3)
4.5
V/ns
P
D
Power Dissipation
(T
C
= 25
°
C)
- Derate above 25
°
C
520
4.2
W
W/
°
C
T
J,
T
STG
T
L
Operating and Storage Temperature Range
-55 to +150
°
C
Maximum Lead Temperature for Soldering Purpose,
1/8” from Case for 5 Seconds
300
°
C
Symbol
Parameter
Min.
Max.
Unit
R
θ
JC
R
θ
CS
R
θ
JA
Thermal Resistance, Junction-to-Case
--
0.24
°
C/W
Thermal Resistance, Case-to-Sink
0.24
--
°
C/W
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient
--
40
°
C/W
* Drain current limited by maximum junction termperature.
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FDA79N15 | 150V N-Channel MOSFET |
| FDA8440 | N-Channel PowerTrench㈢ MOSFET |
| FDAF59N30 | 300V N-Channel MOSFET |
| FDAF62N28 | 280V N-Channel MOSFET |
| FDAF69N25 | 250V N-Channel MOSFET |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| FDA79N15 | 功能描述:MOSFET 200V N-CH U NIFET MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| FDA800001 | 功能描述:OSC 108MHZ 3.3V SMD RoHS:是 類(lèi)別:晶體和振蕩器 >> 振蕩器 系列:SaRonix-eCera™ FD 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:VG-4512CA 類(lèi)型:VCXO 頻率:153.6MHz 功能:三態(tài)（輸出啟用） 輸出:LVPECL 電源電壓:3.3V 頻率穩(wěn)定性:- 工作溫度:-40°C ~ 85°C 電流 - 電源（最大）:60mA 額定值:- 安裝類(lèi)型:表面貼裝 尺寸/尺寸:0.276" L x 0.197" W（7.00mm x 5.00mm） 高度:0.071"（1.80mm） 封裝/外殼:6-SMD，無(wú)引線(xiàn)（DFN，LCC） 包裝:Digi-Reel® 電流 - 電源（禁用）（最大）:- 其它名稱(chēng):SER3790DKR |
| FDA800002 | 功能描述:OSC 108MHZ 1.8V SMD RoHS:是 類(lèi)別:晶體和振蕩器 >> 振蕩器 系列:SaRonix-eCera™ FD 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:VG-4512CA 類(lèi)型:VCXO 頻率:153.6MHz 功能:三態(tài)（輸出啟用） 輸出:LVPECL 電源電壓:3.3V 頻率穩(wěn)定性:- 工作溫度:-40°C ~ 85°C 電流 - 電源（最大）:60mA 額定值:- 安裝類(lèi)型:表面貼裝 尺寸/尺寸:0.276" L x 0.197" W（7.00mm x 5.00mm） 高度:0.071"（1.80mm） 封裝/外殼:6-SMD，無(wú)引線(xiàn)（DFN，LCC） 包裝:Digi-Reel® 電流 - 電源（禁用）（最大）:- 其它名稱(chēng):SER3790DKR |
| FDA8440 | 功能描述:MOSFET 40V 100A 2.1mOhm N-Chan Power Trench RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| FDA8440_08 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱(chēng):Fairchild Semiconductor 功能描述:N-Channel PowerTrench㈢ MOSFET |
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