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參數資料
| 型號： | FDAF59N30 |
| 廠商： | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分類： | JFETs |
| 英文描述： | 300V N-Channel MOSFET |
| 中文描述： | 34 A, 300 V, 0.056 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| 封裝： | TO-3PF, 3 PIN |
| 文件頁數： | 5/8頁 |
| 文件大小： | 772K |
| 代理商： | FDAF59N30 |
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www.fairchildsemi.com
FDAF59N30 Rev. A
F
Gate Charge Test Circuit & Waveform
Resistive Switching Test Circuit & Waveforms
Unclamped Inductive Switching Test Circuit & Waveforms
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FDAF62N28 | 280V N-Channel MOSFET |
| FDAF69N25 | 250V N-Channel MOSFET |
| FDAF75N28 | 280V N-Channel MOSFET |
| FDB035AN06A0 | N-Channel PowerTrench MOSFET 60V, 80A, 3.5mз |
| FDB045AN08 | N-Channel UltraFET Trench MOSFET 75V, 80A, 4.5mз |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| FDAF62N28 | 功能描述:MOSFET 280V 36A NCH MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| FDAF69N25 | 功能描述:MOSFET 150V N-CH U NIFET MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| FDAF75N28 | 功能描述:MOSFET 280V 46A NCH MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| FD-AFM2 | 制造商:Panasonic Electric Works 功能描述:PHOLOELECTRIC SENSOR |
| FD-AFM2E | 制造商:Panasonic Electric Works 功能描述:FIBER SENSORAREA REFLECTIVE 10.85MM 2 制造商:Panasonic Electric Works 功能描述:THRU-BEAM TYPE FIBER |
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