| 型號(hào)： | FDB039N06 |
| 廠商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 5/8頁(yè) |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 60V 120A D2PAK |
| 產(chǎn)品目錄繪圖： | D2PAK, TO-263AB Pkg |
| 標(biāo)準(zhǔn)包裝： | 1 |
| 系列： | PowerTrench® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金屬氧化物 |
| FET 特點(diǎn)： | 標(biāo)準(zhǔn) |
| 漏極至源極電壓(Vdss)： | 60V |
| 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C： | 120A |
| 開(kāi)態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 3.9 毫歐 @ 75A，10V |
| Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）： | 4.5V @ 250µA |
| 閘電荷(Qg) @ Vgs： | 133nC @ 10V |
| 輸入電容 (Ciss) @ Vds： | 8235pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 231W |
| 安裝類(lèi)型： | 表面貼裝 |
| 封裝/外殼： | TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB |
| 供應(yīng)商設(shè)備封裝： | D²PAK |
| 包裝： | 標(biāo)準(zhǔn)包裝 |
| 產(chǎn)品目錄頁(yè)面： | 1606 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名稱： | FDB039N06DKR |