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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | FDB12N50 |
| 廠商： | Fairchild Semiconductor Corporation |
| 英文描述： | N-Channel MOSFET 500V, 11.5A, 0.65ヘ |
| 中文描述： | N溝道MOSFET的500V，11.5A，0.65ヘ |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 7/9頁(yè) |
| 文件大小： | 311K |
| 代理商： | FDB12N50 |
F
FDB12N50
TM
Rev. A
1
www.fairchildsemi.com
7
Mechanical Dimensions
10.00
±
0.20
10.00
±
0.20
(8.00)
(4.40)
1.27
±
0.10
0.80
±
0.10
0.80
±
0.10
(2XR0.45)
9.90
±
0.20
4.50
±
0.20
0.10
±
0.15
2.40
±
0.20
2
±
0
1
±
0
9
±
0
4
±
0
1
±
0
2
±
0
(
(
(
0
°
~3
°
1
±
0
9
±
0
1
±
0
4
±
0
(
2.54 TYP
2.54 TYP
1.30
+0.10
–0.05
0.50
+0.10
–0.05
D
2
-PAK
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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參數(shù)描述 |
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| FDB12N50FTM_WS | 功能描述:MOSFET 500V 11.5A 0.7Ohm N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| FDB12N50TM | 功能描述:MOSFET 500V N-CH MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
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