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參數資料
型號: FDB12N50TM
廠商: Fairchild Semiconductor
文件頁數: 6/8頁
文件大小: 0K
描述: MOSFET N-CH 500V 11.5A D2PAK
產品目錄繪圖: D2PAK, TO-263AB Pkg
標準包裝: 1
系列: UniFET™
FET 型: MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET 特點: 標準
漏極至源極電壓(Vdss): 500V
電流 - 連續漏極(Id) @ 25° C: 11.5A
開態Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 650 毫歐 @ 6A,10V
Id 時的 Vgs(th)(最大): 5V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs: 30nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds: 1315pF @ 25V
功率 - 最大: 165W
安裝類型: 表面貼裝
封裝/外殼: TO-263-3,D²Pak(2 引線+接片),TO-263AB
供應商設備封裝: D²PAK
包裝: 標準包裝
其它名稱: FDB12N50TMDKR
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