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參數(shù)資料
型號: FDB14AN06LA0_F085
廠商: Fairchild Semiconductor
文件頁數(shù): 9/11頁
文件大小: 0K
描述: MOSFET N-CH 60V 67A D2PAK
標準包裝: 800
系列: PowerTrench®
FET 型: MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET 特點: 邏輯電平門
漏極至源極電壓(Vdss): 60V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C: 67A
開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 11.6 毫歐 @ 67A,10V
Id 時的 Vgs(th)(最大): 3V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs: 31nC @ 5V
輸入電容 (Ciss) @ Vds: 2900pF @ 25V
功率 - 最大: 125W
安裝類型: 表面貼裝
封裝/外殼: TO-263-3,D²Pak(2 引線+接片),TO-263AB
供應商設備封裝: TO-263
包裝: 帶卷 (TR)
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