- 您現在的位置：買賣IC網 > PDF目錄375779 > FDB2552 (FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP) N-Channel PowerTrench MOSFET 150V, 37A, 36mз PDF資料下載
參數資料
| 型號： | FDB2552 |
| 廠商： | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分類： | JFETs |
| 英文描述： | N-Channel PowerTrench MOSFET 150V, 37A, 36mз |
| 中文描述： | 5 A, 150 V, 0.036 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB |
| 封裝： | TO-263AB, 3 PIN |
| 文件頁數： | 10/11頁 |
| 文件大小： | 256K |
| 代理商： | FDB2552 |
2002 Fairchild Semiconductor Corporation
FDB2552 / FDP2552 Rev. B
F
SPICE Thermal Model
REV 23 May 2002
FDP2552T
CTHERM1 TH 6 1e-2
CTHERM2 6 5 1.5e-2
CTHERM3 5 4 2e-2
CTHERM4 4 3 2.1e-2
CTHERM5 3 2 2.2e-2
CTHERM6 2 TL 9e-2
RTHERM1 TH 6 2.7e-2
RTHERM2 6 5 2.8e-2
RTHERM3 5 4 7.8e-2
RTHERM4 4 3 9e-2
RTHERM5 3 2 2.7e-1
RTHERM6 2 TL 2.87e-1
SABER Thermal Model
SABER thermal model FDP2552T
template thermal_model th tl
thermal_c th, tl
{
ctherm.ctherm1 th 6 =1e-2
ctherm.ctherm2 6 5 =1.5e-2
ctherm.ctherm3 5 4 =2e-2
ctherm.ctherm4 4 3 =2.1e-2
ctherm.ctherm5 3 2 =2.2e-2
ctherm.ctherm6 2 tl =9e-2
rtherm.rtherm1 th 6 =2.7e-2
rtherm.rtherm2 6 5 =2.8e-2
rtherm.rtherm3 5 4 =7.8e-2
rtherm.rtherm4 4 3 =9e-2
rtherm.rtherm5 3 2 =2.7e-1
rtherm.rtherm6 2 tl =2.87e-1
}
RTHERM4
RTHERM6
RTHERM5
RTHERM3
RTHERM2
RTHERM1
CTHERM4
CTHERM6
CTHERM5
CTHERM3
CTHERM2
CTHERM1
tl
2
3
4
5
6
th
JUNCTION
CASE
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FDP2570 | 150V N-Channel PowerTrench MOSFET |
| FDB2570 | 150V N-Channel PowerTrench MOSFET |
| FDP2572 | N-Channel PowerTrench MOSFET 150V, 29A, 54mз |
| FDP2572 | STEREO 200W CLASS-T DIGITAL AUDIO AMPLIFIER DRIVER USING DIGITAL POWER PROCESSING TECHNOLOGY |
| FDB2572 | N-Channel PowerTrench MOSFET 150V, 29A, 54mз |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| FDB2552_F085 | 功能描述:MOSFET N-Chan PowerTrench MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| FDB2570 | 功能描述:MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| FDB2572 | 功能描述:MOSFET N-Channel UltraFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| FDB2572_Q | 功能描述:MOSFET N-Channel UltraFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| FDB-25P | 制造商:Hirose 功能描述: |
發布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復。