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參數資料
| 型號： | FDB2614 |
| 廠商： | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分類： | JFETs |
| 英文描述： | 200V N-Channel PowerTrench MOSFET |
| 中文描述： | 62 A, 200 V, 0.027 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| 封裝： | ROHS COMPLIANT, 3 PIN |
| 文件頁數： | 3/8頁 |
| 文件大小： | 735K |
| 代理商： | FDB2614 |
Figure 1.
0.1
1
10
1
10
100
* Notes :
1. 250
μ
s Pulse Test
2. T
C
= 25
o
C
V
GS
Top : 15.0 V
10.0 V
8.0 V
7.0 V
6.5 V
6.0 V
Bottom : 5.5 V
I
D
,
V
DS
,Drain-Source Voltage[V]
500
On-Region Characteristics
Figure 2.
2
4
6
8
1
10
100
1000
-55
o
C
150
o
C
* Notes :
1. V
DS
= 10V
2. 250
μ
s Pulse Test
25
o
C
I
D
,
V
GS
,Gate-Source Voltage[V]
Transfer Characteristics
Figure 3.
0
50
100
150
200
0.02
0.03
0.04
0.05
0.06
* Note : T
J
= 25
o
C
V
GS
= 20V
V
GS
= 10V
R
D
[
]
,
D
I
D
, Drain Current [A]
0.015
On-Resistance Variation vs. Drain
Current and Gate Voltage
Figure 4.
tion vs. Source Current and Temperature
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1
10
100
1000
* Notes :
1. V
GS
= 0V
2. I
D
= 250
μ
A
T
A
= 25
o
C
T
A
= 150
o
C
I
VSD, Source-Drain voltage [V]
Body Diode Forward Voltage Varia-
Figure 5.
0.1
1
10
0
3000
6000
9000
C
oss
C
iss
C
iss
= C
gs
+ C
gd
(
C
ds
= shorted
)
C
oss
= C
ds
+ C
gd
C
rss
= C
gd
* Note:
1. V
GS
= 0V
2. f = 1MHz
C
rss
C
V
DS
, Drain-Source Voltage [V]
30
Capacitance Characteristics
Figure 6.
0
20
40
60
80
100
0
2
4
6
8
10
* Note : I
D
= 62A
V
DS
= 40V
V
DS
= 100V
V
DS
= 160V
V
G
,
Q
g
, Total Gate Charge [nC]
Gate Charge Characteristics
3
www.fairchildsemi.com
FDB2614 Rev. A
F
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FDB2710 | 250V N-Channel PowerTrench MOSFET |
| FDB33N25 | 250V N-Channel MOSFET |
| FDB33N25TM | 250V N-Channel MOSFET |
| FDB3632 | N-Channel PowerTrench MOSFET 100V, 80A, 9mз |
| FDI3632 | N-Channel PowerTrench MOSFET 100V, 80A, 9mз |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| FDB2670 | 功能描述:MOSFET 200V N-Channel Pwr Trench RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| FDB2710 | 功能描述:MOSFET 250V N-Channel PowerTrench MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
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| FDB28N30TM | 功能描述:MOSFET 300V N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| FDB-3 | 功能描述:化學物質 CAP 10/PACK RoHS:否 制造商:3M Electronic Specialty 產品:Adhesives 類型:Epoxy Compound 大小:1.7 oz 外殼:Plastic Tube |
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