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參數資料
| 型號： | FDB7045L |
| 廠商： | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分類： | JFETs |
| 英文描述： | N-Channel Logic Level PowerTrench MOSFET |
| 中文描述： | 75 A, 30 V, 0.0045 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB |
| 封裝： | TO-263AB, 3 PIN |
| 文件頁數： | 1/10頁 |
| 文件大小： | 428K |
| 代理商： | FDB7045L |
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Absolute Maximum Ratings
T
C
= 25°C unless otherwise noted
Symbol
V
DSS
V
GSS
I
D
Parameter
FDP7045L
FDB7045L
Units
V
V
A
Drain-Source Voltage
Gate-Source Voltage
Maximum Drain Current - Continuous (Note 1)
30
±
20
100
75
300
125
0.85
- Pulsed (Note 1)
Total Power Dissipation @ T
C
= 25
°
C
Derate above 25
°
C
Operating and Storage Junction Temperature Range
Thermal Characteristics
R
θ
JC
R
θ
JA
W
P
D
W/
°
C
°
C
T
J
, T
STG
-65 to +175
Thermal Resistance, Junction-to-Case
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient
1.2
62.5
°
C/W
°
C/W
Package Outlines and Ordering Information
Device Marking
FDB7045L
FDP7045L
Device
FDB7045L
FDP7045L
Reel Size
13
’’
Tube
Tape Width
24mm
N/A
Quantity
800
45
S
D
G
S
G
D
TO-220
FDP Series
D
G
S
TO-263AB
FDB Series
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FDP7045L | N-Channel Logic Level PowerTrench MOSFET |
| FDP75N08_0606 | 75V N-Channel MOSFET |
| FDP75N08A | 75V N-Channel MOSFET |
| FDP75N08 | 75V N-Channel MOSFET |
| FDP79N15_07 | 150V N-Channel MOSFET |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| FDB7045L_Q | 功能描述:MOSFET N-Ch PowerTrench Logic Level RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| FD-B8 | 制造商:SUNX 功能描述:FIBRE REFLECTIVE M6 2M 制造商:Panasonic Electric Works 功能描述:Slim Body Analog Fiber Sensor 2-Pin |
| FD-B8 | 制造商:Panasonic Electric Works 功能描述:FIBER SENSORM6 DIF. LONG SENSING RANGE |
| FDB8030L | 功能描述:MOSFET N-Ch PowerTrench Logic Level RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| FDB8132 | 功能描述:MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK RoHS:是 類別:分離式半導體產品 >> FET - 單 系列:* 標準包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續漏極(Id) @ 25° C:18A 開態Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應商設備封裝:TO-220FP 包裝:管件 |
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