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參數資料
型號: FDB8880
廠商: Fairchild Semiconductor
文件頁數: 1/11頁
文件大小: 0K
描述: MOSFET N-CH 30V 54A TO-263AB
產品培訓模塊: High Voltage Switches for Power Processing
標準包裝: 1
系列: PowerTrench®
FET 型: MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET 特點: 邏輯電平門
漏極至源極電壓(Vdss): 30V
電流 - 連續漏極(Id) @ 25° C: 54A
開態Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 11.6 毫歐 @ 40A,10V
Id 時的 Vgs(th)(最大): 2.5V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs: 29nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds: 1240pF @ 15V
功率 - 最大: 55W
安裝類型: 表面貼裝
封裝/外殼: TO-263-3,D²Pak(2 引線+接片),TO-263AB
供應商設備封裝: TO-263AB
包裝: 標準包裝
其它名稱: FDB8880DKR
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