欧美成人免费电影,国产欧美一区二区三区精品酒店,精品国产a毛片,色网在线免费观看

參數資料
型號: FDB8896
廠商: FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類: JFETs
英文描述: N-Channel PowerTrench MOSFET 30V, 93A, 5.7 m ohm
中文描述: 80 A, 30 V, 0.0068 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB
封裝: TO-263AB, 3 PIN
文件頁數: 10/11頁
文件大小: 269K
代理商: FDB8896
2004 Fairchild Semiconductor Corporation
FDB8896 Rev. B1
F
PSPICE Thermal Model
REV 23 December 2003
FDB8896T
CTHERM1 TH 6 9e-4
CTHERM2 6 5 1e-3
CTHERM3 5 4 2e-3
CTHERM4 4 3 3e-3
CTHERM5 3 2 7e-3
CTHERM6 2 TL 8e-2
RTHERM1 TH 6 3.0e-2
RTHERM2 6 5 1.0e-1
RTHERM3 5 4 1.8e-1
RTHERM4 4 3 2.8e-1
RTHERM5 3 2 4.5e-1
RTHERM6 2 TL 4.6e-1
SABER Thermal Model
SABER thermal model FDB8896T
template thermal_model th tl
thermal_c th, tl
{
ctherm.ctherm1 th 6 =9e-4
ctherm.ctherm2 6 5 =1e-3
ctherm.ctherm3 5 4 =2e-3
ctherm.ctherm4 4 3 =3e-3
ctherm.ctherm5 3 2 =7e-3
ctherm.ctherm6 2 tl =8e-2
rtherm.rtherm1 th 6 =3.0e-2
rtherm.rtherm2 6 5 =1.0e-1
rtherm.rtherm3 5 4 =1.8e-1
rtherm.rtherm4 4 3 =2.8e-1
rtherm.rtherm5 3 2 =4.5e-1
rtherm.rtherm6 2 tl =4.6e-1
}
RTHERM4
RTHERM6
RTHERM5
RTHERM3
RTHERM2
RTHERM1
CTHERM4
CTHERM6
CTHERM5
CTHERM3
CTHERM2
CTHERM1
tl
2
3
4
5
6
th
JUNCTION
CASE
相關PDF資料
PDF描述
FDC10-48S05W 10 watts of output power from a 2 x 1 x 0.4 inch package
FDC10 10 watts of output power from a 2 x 1 x 0.4 inch package
FDC10-12D05 10 watts of output power from a 2 x 1 x 0.4 inch package
FDC10-12D12 10 watts of output power from a 2 x 1 x 0.4 inch package
FDC10-12D15 10 watts of output power from a 2 x 1 x 0.4 inch package
相關代理商/技術參數
參數描述
FDB8896_08 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:N-Channel PowerTrench㈢ MOSFET
FDB8896_F085 功能描述:MOSFET 30V N-CHAN PwrTrench RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
FDB9403 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:N-Channel Power Trench?? MOSFET 40V, 110A, 1.2m??
FDB9403_F085 功能描述:MOSFET 40V 110A 1.2m? N-Ch PowerTrench MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
FDB9406_F085 功能描述:MOSFET 40V, 110A, 1.8m Ohm NChannel PowerTrench RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
主站蜘蛛池模板: 呼和浩特市| 堆龙德庆县| 扬州市| 科尔| 静乐县| 旬邑县| 延长县| 枞阳县| 沙雅县| 鲁甸县| 陇南市| 方山县| 龙江县| 贵港市| 来安县| 浦县| 中山市| 广东省| 怀柔区| 梁平县| 来凤县| 中宁县| 利辛县| 鹤岗市| 英吉沙县| 财经| 临洮县| 长治县| 晋城| 义马市| 保靖县| 齐河县| 辽宁省| 吉安县| 长春市| 苏尼特左旗| 扶绥县| 青川县| 镇康县| 红原县| 依兰县|