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參數資料
| 型號： | FDC6327C |
| 廠商： | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分類： | 小信號晶體管 |
| 英文描述： | Dual N & P-Channel 2.5V Specified PowerTrenchTM MOSFET |
| 中文描述： | 2700 mA, 20 V, 2 CHANNEL, N AND P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET |
| 封裝： | SUPERSOT-6 |
| 文件頁數： | 6/12頁 |
| 文件大小： | 323K |
| 代理商： | FDC6327C |
F
FDC6327C, Rev. E
Typical Characteristics: P-Channel
Figure 15. Transfer Characteristics.
Figure 16. Body Diode Forward Voltage
Variation with Source Current
and Temperature.
0
2
4
6
8
10
0
1
2
3
4
5
-V
DS
, DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
-1.5V
-2.0V
-2.5V
-3.0V
-3.5V
V
GS
= -4.5V
0.8
1
1.2
1.4
1.6
1.8
2
2.2
2.4
0
2
4
6
8
10
-I
D
, DIRAIN CURRENT (A)
V
GS
= -2.0V
-2.5V
-3.0V
-3.5V
-4.0V
-4.5V
0
2
4
6
8
10
0
1
2
3
4
-V
GS
, GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
T
A
= -55
o
C
25
o
C
125
o
C
V
DS
= -5V
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
0
0.4
0.8
1.2
1.6
-V
SD
,
BODY DIODE FORWARD VOLTAGE (V)
V
GS
= 0V
T
A
= 125
o
C
25
o
C
-55
o
C
0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
1
2
3
4
5
-V
GS
, GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
I
D
= -1A
T
A
= 125
o
C
T
A
= 25
o
C
0.7
0.8
0.9
1
1.1
1.2
1.3
1.4
1.5
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
T
J
, JUNCTION TEMPERATURE (
o
C)
I
D
= -1.9A
V
GS
= -4.5V
Figure 11. On-Region Characteristics.
Figure 12. On-Resistance Variation
with Drain Current and Gate Voltage.
Figure 13. On-Resistance Variation
with Temperature.
Figure 14. On-Resistance Variation
with Gate-to-Source Voltage.
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
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相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
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