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參數資料
| 型號： | FDC637AN |
| 廠商： | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分類： | 小信號晶體管 |
| 英文描述： | Single N-Channel, 2.5V Specified PowerTrenchTM MOSFET |
| 中文描述： | 6200 mA, 20 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET |
| 封裝： | LEAD FREE, SUPERSOT-6 |
| 文件頁數： | 4/8頁 |
| 文件大小： | 240K |
| 代理商： | FDC637AN |
F
FDC637AN, Rev. C
Typical Characteristics
(continued)
Figure 7. Gate-Charge Characteristics
Figure 8. Capacitance Characteristics
Figure 9. Maximum Safe Operating Area
Figure 10. Single Pulse Maximum
Power Dissipation
Figure 11. Transient Thermal Response Curve.
Thermal characterization performed using the conditions described in Note 1b.
Transient themal response will change depending on the circuit board design.
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
300
0.005
0.01
0.02
0.05
0.1
0.2
0.5
1
t , TIME (sec)
T
r
Single Pulse
D = 0.5
0.1
0.05
0.02
0.01
0.2
Duty Cycle, D = t / t
1
2
R (t) = r(t) * R
R = 156
°
C/W
T - T = P * R (t)
P(pk)
t
1
t
2
0
300
600
900
1200
1500
1800
0
5
10
15
20
V
DS
, DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
C
C
iss
C
oss
C
rss
f = 1MHz
V
GS
= 0V
0
1
2
3
4
5
0.1
1
10
100
1000
SINGLE PULSE TIME (SEC)
P
SINGLE PULSE
R
θ
JA
= 156
o
C/W
T
A
= 25
o
C
0.01
0.1
1
10
100
0.1
1
10
100
V
DS
, DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
I
D
,
DC
1s
100ms
10ms
1ms
100
μ
s
V
GS
= 4.5V
SINGLE PULSE
R
θ
JA
= 156
o
C/W
T
A
= 25
o
C
R
DS(ON)
LIMIT
0
1
2
3
4
5
0
2
4
6
8
10
12
14
Q
g
, GATE CHARGE (nC)
V
G
,
I
D
= 6.2A
V
DS
= 5V
10V
15V
相關PDF資料 |
PDF描述 |
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相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
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