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參數資料
| 型號： | FDC637BNZ |
| 廠商： | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分類： | 小信號晶體管 |
| 英文描述： | N-Channel 2.5V Specified PowerTrench㈢ MOSFET 20V, 6.2A, 24mヘ |
| 中文描述： | 6200 mA, 20 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET |
| 封裝： | ROHS COMPLIANT, SUPERSOT-6, 6 PIN |
| 文件頁數： | 4/6頁 |
| 文件大小： | 366K |
| 代理商： | FDC637BNZ |
F
www.fairchildsemi.com
4
2007 Fairchild Semiconductor Corporation
FDC637BNZ Rev.C
Figure 7.
0.0
1.5
3.0
Q
g
, GATE CHARGE(nC)
4.5
6.0
7.5
9.0
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
4.5
I
D
= 6.2A
V
DD
= 10V
V
DD
= 5V
V
G
,
V
DD
= 15V
Gate Charge Characteristics
Figure 8.
0.1
1
10
100
1000
20
f = 1MHz
V
GS
= 0V
C
V
DS
, DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
C
rss
C
oss
C
iss
50
2000
Capacitance vs Drain
to Source Voltage
Figure 9.
0
3
6
9
12
15
18
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
10
1
10
2
10
3
10
4
10
5
V
DS
= 0V
T
J
= 25
o
C
T
J
= 150
o
C
V
GS,
GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
I
g
,
G
Gate Leakage Current vs Gate to
Source Voltage
Figure 10.
0.1
1
10
0.01
0.1
1
10
50
30
100us
DC
10s
1s
100ms
10ms
1ms
D
,
V
DS
, DRAIN to SOURCE VOLTAGE (V)
THIS AREA IS
LIMITED BY r
DS(on)
SINGLE PULSE
T
J
= MAX RATED
R
θ
JA
= 156
o
C/W
T
A
= 25
o
C
Forward Bias Safe
Operating Area
Figure 11. Single Pulse Maximum Power Di
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
10
1
10
2
10
3
1
10
100
1000
V
GS
= 4.5V
SINGLE PULSE
R
θ
JA
= 156
o
C/W
T
A
= 25
o
C
P
(
,
t, PULSE WIDTH (s)
0.5
ssipation
Typical Characteristics
T
J
= 25°C unless otherwise noted
相關PDF資料 |
PDF描述 |
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相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
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| FDC638P | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET P SUPERSOT-6 |
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