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參數資料
| 型號： | FDC638 |
| 廠商： | Fairchild Semiconductor Corporation |
| 英文描述： | P-Channel 2.5V Specified PowerTrenchTM MOSFET |
| 中文描述： | P溝道MOSFET的2.5V的指定PowerTrenchTM |
| 文件頁數： | 8/9頁 |
| 文件大小： | 240K |
| 代理商： | FDC638 |
1998 Fairchild Semiconductor Corporation
SuperSOT
-6 (FS PKG Code 31, 33)
1 : 1
Scale 1:1 on letter size paper
Dimensions shown below are in:
inches [millimeters]
Part Weight per unit (gram): 0.0158
SuperSOT
TM
-6 Tape and Reel Data and Package Dimensions, continued
September 1998, Rev. A
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FDC638P | P-Channel 2.5V Specified PowerTrenchTM MOSFET |
| FDC6392S | 20V Integrated P-Channel PowerTrench MOSFET and Schottky Diode |
| FDC6401N | Dual N-Channel 2.5V Specified PowerTrench MOSFET |
| FDC640P | P-Channel 2.5V Specified PowerTrenchTM MOSFET |
| FDC6420 | 20V N & P-Channel PowerTrench MOSFETs |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| FDC638APZ | 功能描述:MOSFET -20V P-Channel 2.5V PowerTrench MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| FDC638H | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述: 制造商:Freescale Semiconductor 功能描述: |
| FDC638P | 功能描述:MOSFET SSOT-6 P-CH -20V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| FDC638P | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET P SUPERSOT-6 |
| FDC638P_01 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:P-Channel 2.5V PowerTrench Specified MOSFET |
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