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參數資料
| 型號： | FDC638APZ |
| 廠商： | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分類： | JFETs |
| 英文描述： | P-Channel 2.5V PowerTrench Specified MOSFET -20V, -4.5A, 43mohm |
| 中文描述： | 4.5 A, 20 V, 72 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| 封裝： | ROHS COMPLIANT, SUPERSOT, 6 PIN |
| 文件頁數： | 4/5頁 |
| 文件大小： | 364K |
| 代理商： | FDC638APZ |
F
FDC638APZ Rev.B
www.fairchildsemi.com
4
Figure 7.
0
2
4
6
8
10
12
0
1
2
3
4
5
I
D
= -4.5A
V
DD
= -15V
V
DD
= -5V
-
G
,
Q
g
, GATE CHARGE(nC)
V
DD
= -10V
Gate Charge Characteristics
Figure 8.
0.1
1
10
100
1000
70
2000
20
f = 1MHz
V
GS
= 0V
C
-V
DS
, DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
C
rss
C
oss
C
iss
Capacitance vs Drain
to Source Voltage
Figure 9.
0
5
10
15
20
1E-5
1E-4
1E-3
0.01
0.1
1
T
J
= 25
o
C
T
J
= 150
o
C
V
GS
= 0V
-
g
,
-V
GS
, GATE TO SOURCE VOLTAGE(V)
Gate Leakage Current vs Gate to
Source Voltage
Figure 10.
0.1
1
10
0.01
0.1
1
10
100
50
100ms
10us
1s
DC
10ms
1ms
100us
r
DS(on)
LIMIT
SINGLE PULSE
T
J
= MAX RATED
T
A
= 25
O
C
-
D
,
-VDS, DRAIN to SOURCE VOLTAGE (V)
Forward Bias Safe
Operating Area
Figure 11. Single Pulse Maximum Power Di
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
10
1
10
2
0
10
20
30
40
50
SINGLE PULSE
R
θ
JA
= 156
T
A
=25
o
C/W
o
C
P
(
,
t, PULSE WIDTH (s)
SINGLE PULSE
ssipation
Figure 12. Transient Thermal Response Curve
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
10
1
10
2
0.001
0.01
0.1
1
DUTY CYCLE-DESCENDING ORDER
N
I
θ
J
t, RECTANGULAR PULSE DURATION (s)
D = 0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
SINGLE PULSE
P
DM
t
1
t
2
NOTES:
DUTY FACTOR: D = t
1
/t
2
PEAK T
J
= P
DM
x Z
θ
JA
x R
θ
JA
+ T
A
Typical Characteristics
T
J
= 25°C unless otherwise noted
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PDF描述 |
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