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參數資料
| 型號： | FDC642P |
| 廠商： | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分類： | 小信號晶體管 |
| 英文描述： | P-Channel 2.5V Specified PowerTrench⑩MOSFET |
| 中文描述： | 4000 mA, 20 V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET |
| 封裝： | ROHS COMPLIANT, SUPERSOT-6 |
| 文件頁數： | 7/8頁 |
| 文件大小： | 269K |
| 代理商： | FDC642P |
1998 Fairchild Semiconductor Corporation
SuperSOT
-6 (FS PKG Code 31, 33)
1 : 1
Scale 1:1 on letter size paper
Dimensions shown below are in:
inches [millimeters]
Part Weight per unit (gram): 0.0158
SuperSOT
TM
-6 Tape and Reel Data and Package Dimensions, continued
September 1998, Rev. A
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FDC6432SH | 12V P-Channel PowerTrench MOSFET, 30V PowerTrench SyncFET |
| FDC645 | N-Channel PowerTrench MOSFET |
| FDC645N | N-Channel PowerTrench MOSFET |
| FDC6506 | Dual P-Channel Logic Level PowerTrench⑩ MOSFET |
| FDC6506P | Dual P-Channel Logic Level PowerTrench⑩ MOSFET |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| FDC642P_09 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:P-Channel PowerTrench?? MOSFET -20V, -4A, 100m?? |
| FDC642P_F085 | 功能描述:MOSFET P-CHANNEL 2.5V PowerTrench MOS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| FDC6432SH | 功能描述:MOSFET 12V P-Channel PowerTrench RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| FDC645 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:N-Channel PowerTrench MOSFET |
| FDC645N | 功能描述:MOSFET SSOT-6 N-CH RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
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