- 您現在的位置：買賣IC網 > PDF目錄375769 > FDC645 (Fairchild Semiconductor Corporation) N-Channel PowerTrench MOSFET PDF資料下載
參數資料
| 型號： | FDC645 |
| 廠商： | Fairchild Semiconductor Corporation |
| 英文描述： | N-Channel PowerTrench MOSFET |
| 中文描述： | N溝道的PowerTrench MOSFET的 |
| 文件頁數： | 7/8頁 |
| 文件大?。?/td> | 313K |
| 代理商： | FDC645 |
1998 Fairchild Semiconductor Corporation
SuperSOT -6 (FS PKG Code 31, 33)
SuperSOT
TM
-6 Tape and Reel Data and Package Dimensions, continued
September 1998, Rev. A
1:1
Scale 1:1 on letter size paper
Dimensions shown below are in:
inches [millimeters]
Part Weight per unit (gram): 0.0158
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FDC645N | N-Channel PowerTrench MOSFET |
| FDC6506 | Dual P-Channel Logic Level PowerTrench⑩ MOSFET |
| FDC6506P | Dual P-Channel Logic Level PowerTrench⑩ MOSFET |
| FDC653 | N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor |
| FDC653N | N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| FDC645N | 功能描述:MOSFET SSOT-6 N-CH RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| FDC645N | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET N SUPERSOT-6 |
| FDC645N_01 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:N-Channel PowerTrench MOSFET |
| FDC645N_F095 | 功能描述:MOSFET 30V 5.5A N-CH POWERTRENCH RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| FDC645N-CUT TAPE | 制造商:FAIRCHILD 功能描述:FDC645N Series 30 V 26 mOhm N-Channel PowerTrench Mosfet - SSOT-6 |
發布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復。