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參數資料
| 型號： | FDC655AN |
| 廠商： | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分類： | 小信號晶體管 |
| 英文描述： | Single N-Channel, Logic Level, PowerTrenchTM MOSFET |
| 中文描述： | 6300 mA, 30 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET |
| 封裝： | SUPERSOT-6 |
| 文件頁數： | 5/6頁 |
| 文件大小： | 528K |
| 代理商： | FDC655AN |
5
www.fairchildsemi.com
FDC655BN Rev. C(W)
F
Typical Characteristics
V
DS
L
Figure 12. Unclamped Inductive
Load Test Circuit
Figure 14. Gate Charge Test Circuit
Figure 15. Gate Charge Waveform
Figure 16. Switching Time
Test Circuit
Figure 17. Switching Time Waveforms
Figure 13. Unclamped Inductive
Waveforms
R
GE
DUT
V
GS
I
AS
0.01
V
DD
+
–
tp
0V
vary t
to obtain
required peak I
AS
V
GS
t
AV
t
P
I
AS
V
DS
V
DD
BV
DSS
V
DS
R
L
R
GEN
DUT
V
DD
V
GS
Pulse Width
≤
1
μ
s
Duty Cycle
≤
0.1
%
V
GS
+
–
t
r
t
f
t
d(ON)
t
d(OFF)
t
ON
t
OFF
Pulse Width
10%
10%
90%
10%
90%
50%
90%
50%
0V
0V
V
GS
V
DS
V
GS
Q
GS
Q
GD
Q
G(TOT)
10V
Charge, (nC)
DUT
V
DD
V
GS
I
g(REF)
+
–
+
-
Same type as DUT
Drain Current
1 F
10 F
10V
50k
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
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相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
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| FDC655BN | 功能描述:MOSFET SINGLE NCH LOG LVEL PWR TRENCH MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| FDC655BN | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:N CHANNEL MOSFET 30V 6.3mA |
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