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參數資料
| 型號： | FDD120AN15A0 |
| 廠商： | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分類： | JFETs |
| 英文描述： | N-Channel PowerTrench MOSFET |
| 中文描述： | 14 A, 150 V, 0.12 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252AA |
| 封裝： | TO-252AA, 3 PIN |
| 文件頁數： | 5/11頁 |
| 文件大小： | 251K |
| 代理商： | FDD120AN15A0 |
2002 Fairchild Semiconductor Corporation
FDP120AN15A0 / FDD120AN15A0 Rev. B
F
Figure 11. Normalized Gate Threshold Voltage vs
Junction Temperature
Figure 12. Normalized Drain to Source
Breakdown Voltage vs Junction Temperature
Figure 13. Capacitance vs Drain to Source
Voltage
Figure 14. Gate Charge Waveforms for Constant
Gate Currents
Typical Characteristics
T
C
= 25°C unless otherwise noted
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
-80
-40
0
40
80
120
160
200
N
T
J
, JUNCTION TEMPERATURE (
o
C)
V
GS
= V
DS
, I
D
= 250
μ
A
T
0.9
1.0
1.1
1.2
-80
-40
0
40
80
120
160
200
T
J
, JUNCTION TEMPERATURE (
o
C)
N
I
D
= 250
μ
A
B
10
100
1000
0.1
1
10
150
5
C
V
DS
, DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
V
GS
= 0V, f = 1MHz
C
ISS
=
C
GS
+ C
GD
C
OSS
C
DS
+ C
GD
C
RSS
=
C
GD
0
2
4
6
8
10
0
4
8
12
V
G
,
Q
g
, GATE CHARGE (nC)
V
DD
= 75V
I
D
= 14A
I
D
= 4A
WAVEFORMS IN
DESCENDING ORDER:
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FDP12N50 | N-Channel MOSFET 500V, 11.5A, 0.65ヘ |
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| FDB13AN06A0 | N-Channel PowerTrench MOSFET 60V, 62A, 13.5mohm |
| FDP13AN06A0 | N-Channel PowerTrench MOSFET 60V, 62A, 13.5mз |
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相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
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