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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | FDD306P |
| 廠商： | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分類： | JFETs |
| 英文描述： | P-Channel 1.8V Specified PowerTrench MOSFET |
| 中文描述： | 6.7 A, 12 V, 0.028 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252 |
| 封裝： | TO-252, 3 PIN |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 4/5頁(yè) |
| 文件大小： | 505K |
| 代理商： | FDD306P |
4
www.fairchildsemi.com
FDD306P Rev. C
F
Typical Characteristics
0
1
2
3
4
5
0
4
8
12
16
20
Q
g
, GATE CHARGE (nC)
-
G
,
I
D
= -6.7A
V
DS
= -4V
-8V
-6V
0
400
800
1200
1600
2000
2400
0
3
6
9
12
-V
DS
, DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
C
C
iss
C
rss
C
oss
f = 1MHz
V
GS
= 0 V
Figure 7. Gate Charge Characteristics.
Figure 8. Capacitance Characteristics.
0.01
0.1
1
10
100
1000
0.1
1
10
100
-V
DS
, DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
-
D
,
DC
10s
1s
100ms
R
DS(ON)
LIMIT
V
GS
=-4.5V
SINGLE PULSE
R
θ
JA
= 96
o
C/W
T
A
= 25
o
C
10ms
1ms
0
0.001
5
10
15
20
0.01
0.1
1
10
100
1000
t
1
, TIME (sec)
P
SINGLE PULSE
R
θ
JA
= 96
°
C/W
T
A
= 25
°
C
Figure 9. Maximum Safe Operating Area.
Figure 10. Single Pulse Maximum
Power Dissipation.
0.001
0.01
0.1
1
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1000
t
1
, TIME (sec)
r
T
R
θ
JA
(t) = r(t) * R
θ
JA
R
θ
JA
= 96
°
C/W
T
J
- T
A
= P * R
θ
JA
(t)
Duty Cycle, D = t
1
/t
2
P(pk)
t
1
t
2
SINGLE PULSE
0.01
0.02
0.05
0.1
0.2
D = 0.5
Figure 11. Transient Thermal Response Curve.
Thermal characterization performed using the conditions described in Note 1c.
Transient thermal response will change depending on the circuit board design.
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FDD3570 | 80V N-Channel PowerTrench MOSFET |
| FDD3580 | 80V N-Channel PowerTrench MOSFET |
| FDD3670 | RECTIFIER STANDARD SINGLE 1A 100V 100 30A-ifsm 5uA-ir 1V-vf DO-41 5K/AMMO |
| FDD3672 | N-Channel UltraFET Trench MOSFET 100V, 44A, 28mз |
| FDD3680 | FAST SWITCHING DIODE_1N4148_SOD-323__ |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| FDD330003 | 功能描述:OSC 133.33MHZ 3.3V SMD RoHS:是 類別:晶體和振蕩器 >> 振蕩器 系列:SaRonix-eCera™ FD 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:VG-4512CA 類型:VCXO 頻率:153.6MHz 功能:三態(tài)（輸出啟用） 輸出:LVPECL 電源電壓:3.3V 頻率穩(wěn)定性:- 工作溫度:-40°C ~ 85°C 電流 - 電源（最大）:60mA 額定值:- 安裝類型:表面貼裝 尺寸/尺寸:0.276" L x 0.197" W（7.00mm x 5.00mm） 高度:0.071"（1.80mm） 封裝/外殼:6-SMD，無(wú)引線（DFN，LCC） 包裝:Digi-Reel® 電流 - 電源（禁用）（最大）:- 其它名稱:SER3790DKR |
| FDD3510H | 功能描述:MOSFET 80V Dual N & P-Chan PowerTrench RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| FDD3570 | 功能描述:MOSFET 80V N-Ch PowerTrench RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| FDD3570_0011 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:80V N-Channel PowerTrench MOSFET |
| FDD3580 | 功能描述:MOSFET 80V N-Ch PowerTrench RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
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