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參數(shù)資料
型號(hào): FDD3706
廠商: FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類: JFETs
英文描述: 30V N-Channel PowerTrench MOSFET
中文描述: 14.7 A, 20 V, 0.009 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252
封裝: DPAK-3
文件頁(yè)數(shù): 5/5頁(yè)
文件大小: 113K
代理商: FDD3706
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相關(guān)PDF資料
PDF描述
FDU6030BL 30V N-Channel PowerTrench MOSFET
FDD6030BL 30V N-Channel PowerTrench MOSFET
FDD6030 N-Channel PowerTrenchTM MOSFET
FDD6030L N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor
FDU6296 30V N-Channel Fast Switching PowerTrench? MOSFET
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
FDD3860 功能描述:MOSFET 100V N-Channel Power Trench RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
FDD3860_08 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:N-Channel PowerTrench MOSFET
FDD3860_G 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:100V N-Channel PowerTrenchR MOSFET
FDD390N15A 功能描述:MOSFET PT5 100/20V NCH RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
FDD390N15ALZ 功能描述:MOSFET NCh150V,26A,42m ohms PowerTrench MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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