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參數資料
| 型號： | FDG6304 |
| 廠商： | Fairchild Semiconductor Corporation |
| 英文描述： | Dual P-Channel, Digital FET |
| 中文描述： | 雙P溝道，數字場效應管 |
| 文件頁數： | 3/8頁 |
| 文件大小： | 227K |
| 代理商： | FDG6304 |
FDG6304P Rev.E1
Typical Electrical Characteristics
Figure 1. On-Region Characteristics.
Figure 2. On-Resistance Variation with
Drain Current and Gate Voltage.
Figure 3. On-Resistance Variation
with Temperature.
Figure 5. Transfer Characteristics.
Figure 4. On-Resistance
Variation with
Gate-to-Source Voltage.
0
1
2
3
4
0
0.3
0.6
0.9
1.2
-V , DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
-
D
V =-4.5V
-1.5V
-2.7V
-2.5V
-2.0V
-3.0V
0
0.2
0.4
-I , DRAIN CURRENT (A)
0.6
0.8
1
1.2
0.5
1
1.5
2
2.5
D
V = -2.0V
R
D
-3.5V
-4.5V
-2.7V
-2.5V
-3.0V
1
2
3
4
5
0
1
2
3
4
5
-V , GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
R
D
I = -0.2A
T = 125 ° C
25° C
0.5
1
1.5
2
2.5
3
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
-V , GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
-
D
V = -5V
T = -55°C
125°C
25°C
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
-V , BODY DIODE FORWARD VOLTAGE (V)
-
S
TJ
25°C
-55°C
V = 0V
Figure 6. Body Diode Forward Voltage
Variation with Source Current
and Temperature.
-50
-25
0
T , JUNCTION TEMPERATURE (°C)
25
50
75
100
125
150
0.6
0.8
1
1.2
1.4
1.6
D
R
D
V = -4.5V
I = -0.41A
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FDG6304P | Dual P-Channel, Digital FET |
| FDG6306P | CAP CER 15000PF 250V X7R 1206 |
| FDG6308 | P-Channel 1.8V Specified PowerTrench MOSFET |
| FDG6308P | CAP CER 68000PF 250V X7R 1206 |
| FDG6313N | Dual N-Channel, Digital FET |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| FDG6304P | 功能描述:MOSFET SC70-6 P-CH -25V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| FDG6304P_D87Z | 功能描述:MOSFET SC70-6 P-CH -25V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| FDG6304P_Q | 功能描述:MOSFET SC70-6 P-CH -25V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| FDG6304PD87Z | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | MATCHED PAIR | P-CHANNEL | 25V V(BR)DSS | TSOP |
| FDG6306P | 功能描述:MOSFET P-Ch PowerTrench Specified 2.5V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
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