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參數資料
| 型號： | FDI2532 |
| 廠商： | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分類： | JFETs |
| 英文描述： | 30V N-Channel PowerTrench MOSFET |
| 中文描述： | 8 A, 150 V, 0.016 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-262AA |
| 封裝： | TO-262AA, 3 PIN |
| 文件頁數： | 10/11頁 |
| 文件大小： | 275K |
| 代理商： | FDI2532 |
2002 Fairchild Semiconductor Corporation
FDB2532 / FDP2532 / FDI2532 Rev. B
F
SPICE Thermal Model
REV 26 February 2002
FDB2532
CTHERM1 TH 6 7.5e-3
CTHERM2 6 5 8.0e-3
CTHERM3 5 4 9.0e-3
CTHERM4 4 3 2.4e-2
CTHERM5 3 2 3.4e-2
CTHERM6 2 TL 6.5e-2
RTHERM1 TH 6 3.1e-4
RTHERM2 6 5 2.5e-3
RTHERM3 5 4 2.0e-2
RTHERM4 4 3 8.0e-2
RTHERM5 3 2 1.2e-1
RTHERM6 2 TL 1.3e-1
SABER Thermal Model
SABER thermal model FDB2532
template thermal_model th tl
thermal_c th, tl
{
ctherm.ctherm1 th 6 =7.5e-3
ctherm.ctherm2 6 5 =8.0e-3
ctherm.ctherm3 5 4 =9.0e-3
ctherm.ctherm4 4 3 =2.4e-2
ctherm.ctherm5 3 2 =3.4e-2
ctherm.ctherm6 2 tl =6.5e-2
rrtherm.rtherm1 th 6 =3.1e-4
rtherm.rtherm2 6 5 =2.5e-3
rtherm.rtherm3 5 4 =2.0e-2
rtherm.rtherm4 4 3 =8.0e-2
rtherm.rtherm5 3 2 =1.2e-1
rtherm.rtherm6 2 tl =1.3e-1
}
RTHERM4
RTHERM6
RTHERM5
RTHERM3
RTHERM2
RTHERM1
CTHERM4
CTHERM6
CTHERM5
CTHERM3
CTHERM2
CTHERM1
tl
2
3
4
5
6
th
JUNCTION
CASE
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FDB2532 | 30V N-Channel PowerTrench MOSFET |
| FDP2532 | 30V N-Channel PowerTrench MOSFET |
| FDI33N25 | 250V N-Channel MOSFET |
| FDI33N25TU | 250V N-Channel MOSFET |
| FDI3652 | N-Channel PowerTrench MOSFET 100V, 61A, 16mз |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| FDI2532_Q | 功能描述:MOSFET 150V N-Ch UltraFET Trench RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| FDI33N25 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:250V N-Channel MOSFET |
| FDI33N25TU | 功能描述:MOSFET TBD RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| FDI3632 | 功能描述:MOSFET 100V 80a 0.009 Ohms/VGS=10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| FDI3632FS | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述: |
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