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參數資料
| 型號： | FDI33N25 |
| 廠商： | Fairchild Semiconductor Corporation |
| 英文描述： | 250V N-Channel MOSFET |
| 中文描述： | 250V N溝道MOSFET |
| 文件頁數： | 6/9頁 |
| 文件大小： | 824K |
| 代理商： | FDI33N25 |
6
www.fairchildsemi.com
FDB33N25 / FDI33N25 Rev A
F
Peak Diode Recovery dv/dt Test Circuit & Waveforms
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FDI33N25TU | 250V N-Channel MOSFET |
| FDI3652 | N-Channel PowerTrench MOSFET 100V, 61A, 16mз |
| FDP3652 | CAP CER .39UF 50V 10% X7R 1206 |
| FDB3652 | N-Channel PowerTrench MOSFET 100V, 61A, 16mз |
| FDI8442 | N-Channel PowerTrench㈢ MOSFET |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| FDI33N25TU | 功能描述:MOSFET TBD RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| FDI3632 | 功能描述:MOSFET 100V 80a 0.009 Ohms/VGS=10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| FDI3632FS | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述: |
| FDI3652 | 功能描述:MOSFET 100V 61a 0.016 Ohm RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| FDI40KIT 838362 | 功能描述:SOFTWARE TOOL KIT FDI40KIT BDL RoHS:否 類別:編程器，開發系統 >> 過時/停產零件編號 系列:- 標準包裝:1 系列:- 傳感器類型:CMOS 成像，彩色（RGB） 傳感范圍:WVGA 接口:I²C 靈敏度:60 fps 電源電壓:5.7 V ~ 6.3 V 嵌入式:否 已供物品:成像器板 已用 IC / 零件:KAC-00401 相關產品:4H2099-ND - SENSOR IMAGE WVGA COLOR 48-PQFP4H2094-ND - SENSOR IMAGE WVGA MONO 48-PQFP |
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