- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄375777 > FDMC3300NZA (FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP) Monolithic Common Drain N-Channel 2.5V Specified PowerTrench PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號： | FDMC3300NZA |
| 廠商： | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分類： | JFETs |
| 英文描述： | Monolithic Common Drain N-Channel 2.5V Specified PowerTrench |
| 中文描述： | 8 A, 20 V, 0.026 ohm, 2 CHANNEL, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| 封裝： | 3.30 X 3.30 MM, ROHS COMPLIANT, MLP-8 |
| 文件頁數(shù)： | 6/7頁 |
| 文件大小： | 279K |
| 代理商： | FDMC3300NZA |
F
FDMC3300NZA RevB
www.fairchildsemi.com
6
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FDMC5614P | P-Channel PowerTrench MOSFET |
| FDMC6890NZ | 30V N-Channel PowerTrench MOSFET |
| FDMC8554 | N-Channel Power Trench MOSFET 20V, 16.5A, 5mohm |
| FDMC8854 | N-Channel Power Trench MOSFET 30V, 15A, 5.7mohm |
| FDMC8878 | N-Channel Power Trench MOSFET 30V, 16.5A, 14mohm |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| FDMC3300NZA_07 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:Monolithic Common Drain N-Channel 2.5V Specified PowerTrench㈢ MOSFET 20V, 8A, 26mヘ |
| FDMC3612 | 功能描述:MOSFET 100V PowerTrench MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| FDMC4435BZ | 功能描述:MOSFET -30V P-Channel PowerTrench RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| FDMC4435BZ_F125 | 功能描述:MOSFET -30V P-CH PwrTrench RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| FDMC4435BZ_F126 | 功能描述:MOSFET -30V P-CH PwrTrench RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復。